[发明专利]测试片及其制造方法和光刻胶缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种测试片的制造方法，所述测试片用于检测某半导体制程下涂覆的光刻胶中的空洞缺陷，其特征在于，所述的测试片的制造方法包括：提供一基底，所述基底具有所述半导体制程下的未涂覆所述光刻胶时的膜层结构；以及，

在所述基底上形成电荷分布，所述电荷分布的电荷极性与所述光刻胶的电荷极性相反，以使得在涂覆所述光刻胶时，所述光刻胶与所述测试片之间产生电荷中和作用后形成所述空洞缺陷。

2.如权利要求1所述的测试片的制造方法，其特征在于，所述基底的膜层结构包括自下向上依次堆叠的半导体衬底、金属层和底部抗反射层；在所述基底上形成电荷分布之后，在所述底部抗反射层上依次形成增粘剂层和光刻胶减量消耗剂层。

3.如权利要求1所述的测试片的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成电荷分布的方法包括：

将所述基底放置在扫描电子显微镜中扫描；或者，

将所述基底放置在扫描电子显微镜中，进行X射线能谱检测；或者，

将所述基底放置在等离子体腔体中进行等离子体溅射。

4.如权利要求3所述的测试片的制造方法，其特征在于，将所述基底放置在扫描电子显微镜中扫描的时间为30min～60min；将所述基底放置在等离子体腔体中进行等离子体溅射的时间为5min～15min。

5.如权利要求2所述的测试片的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底包括硅片、氧化铝陶瓷片和碳化硅陶瓷片中的任一种；所述金属层的材质包括铝、钛、镍、氮化铝、氮化钛和氮化镍中的一种或至少两种的组合；所述底部抗反射层的材质包括氮氧化硅、氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅；所述增粘剂层的材质包括六甲基二硅氮烷；所述光刻胶减量消耗剂层的材质包括丙二醇甲醚、乙酸丙二醇甲酯、OK73、环已酮、γ-丁内酯中的一种或者至少两种的组合。

6.一种测试片，用于检测某半导体制程下涂覆的光刻胶中的空洞缺陷，其特征在于，所述测试片包括一具有电荷分布的基底，所述基底具有所述半导体制程下的未涂覆所述光刻胶时的膜层结构，所述电荷分布的电荷极性与所述光刻胶的电荷极性相反，以使得在涂覆所述光刻胶时，所述光刻胶与所述测试片之间产生电荷中和作用后形成所述空洞缺陷。

7.如权利要求6所述的测试片，其特征在于，所述基底的膜层结构包括自下向上依次堆叠的半导体衬底、金属层、底部抗反射层、增粘剂层和光刻胶减量消耗剂层。

8.如权利要求7所述的测试片，其特征在于，所述半导体衬底包括硅片、氧化铝陶瓷片和碳化硅陶瓷片中的任一种；所述金属层的材质包括铝、钛、镍、氮化铝、氮化钛和氮化镍中的一种或至少两种的组合；所述底部抗反射层的材质包括氮氧化硅、氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅；所述增粘剂层的材质包括六甲基二硅氮烷；所述光刻胶减量消耗剂层的材质包括丙二醇甲醚、乙酸丙二醇甲酯、OK73、环已酮、γ-丁内酯中的一种或者至少两种的组合。

9.一种光刻胶缺陷的检测方法，其特征在于，包括：

提供权利要求6至8中任一项所述的测试片；

在所述测试片上形成光刻胶层，所述光刻胶层与所述测试片之间产生电荷中和作用；以及，

扫描所述测试片上的所述光刻胶层，以获得所述光刻胶层中的空洞缺陷的分布情况。

10.如权利要求9所述的光刻胶缺陷的检测方法，其特征在于，形成所述光刻胶层的步骤包括：涂覆光刻胶于所述测试片上，并依次进行烘烤、曝光和显影。

11.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供某半导体制程下的待涂覆光刻胶的晶圆；

采用权利要求10所述的光刻胶缺陷的检测方法，从多种型号的光刻胶中为所述晶圆选出符合要求的光刻胶，或者，在采用权利要求10所述的光刻胶缺陷的检测方法检测出某型号的光刻胶不符合要求时，将所述型号的光刻胶进行去电荷处理，以使其转换为符合要求的光刻胶；

将所述符合要求的光刻胶涂覆到所述晶圆的表面上，形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行烘烤、曝光和显影，以形成所述半导体制程所需的图案；以及，

以具有所述图案的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述晶圆中的相应膜层，以将所述图案转移到所述晶圆中的相应膜层上。