[发明专利]一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构

权利要求书

1.一种大功率LED封装用基板，包括，基板本体(1)、铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14)，其特征在于：所述基板本体(1)包括铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14)，所述石墨层(13)内不嵌入有石墨烯镀层的金属块(14)，所述石墨层(13)与导热绝缘层(12)之间通过热压合方法进行粘合，所述铜线路(11)通过涂布法与导热绝缘层(12)结合在一起。

2.根据权利要求1所述的大功率LED封装用基板，其特征在于：所述铜线路(11)由化学溶液蚀刻而成。

3.根据权利要求1所述的大功率LED封装用基板，其特征在于：所述导热绝缘层(12)的导热填料可以是二氧化硅、氧化铝、氮化硼、碳化硅、氮化铝之中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述大功率LED封装用基板，其特征在于：所述石墨烯镀层的金属块(14)为在金属块外表面化学气相沉积发蒸镀石墨烯，所述石墨烯镀层的金属块(14)至少嵌入1个，所述石墨烯镀层的金属块(14)的金属块厚度与石墨片的厚度相同，所述石墨烯镀层的金属块(14)的镀层厚度为1纳米-500纳米。

5.一种大功率LED封装用基板制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：铜箔表面涂布导热绝缘胶；

S2：在金属块体表面化学气相均匀沉积石墨烯镀层；

S3：石墨片冲切镂空，并将S2制作的石墨烯镀层金属块嵌入石墨片内；

S4：将S1制成的带胶铜箔与S3制作的石墨片进行热压合；

S5：将S4制成的压合板的铜箔表面蚀刻成线路，形成LED基板。

6.根据权利要求5所述的大功率LED封装用基板制作方，其特征在于：所述步骤S1中涂布导热绝缘胶时60-80℃烘烤10-15mi n，再120-140℃烘烤10-15mi n，最后140-160℃烘烤5-10mi n。

7.根据权利要求5所述的大功率LED封装用基板制作方法，其特征在于：所述步骤S4中压合温度180-200℃，时间1-2小时。

8.一种大功率LED封装结构，包括基板(1)和封装结构(2)，其特征在于：所述基板(1)上设置有铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14)，所述封装结构(2)包括LED芯片(21)、金属绑定线(22)、引线框架(23)和封装树脂(24)，所述基板(1)外露在封装结构(2)的一侧，所述LED芯片(21)与引线框架(23)通过锡膏焊料焊接在铜线路(11)上，且引线框架(23)设置在LED芯片(21)后侧，所述金属绑定线(22)，所述LED芯片和线路(11)之间，以及所述铜线路(11)和引线框架(23)之间通过金属绑定线(22)连接，所述封装树脂(24)设置在基板(1)的外侧。

9.根据权利要求8所述的大功率LED封装结构，特征在于：所述金属绑定线(22)的材质可以是铜、铝或金。

10.根据权利要求8所述的大功率LED封装结构，特征在于：所述封装树脂(24)为环氧树脂封装材料。