[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底内具有光电二极管区；

在所述第一表面形成半导体器件；

在所述光电二极管区的所述第二表面形成施压层。

2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述施压层的材料为氧化铟锡或铝掺杂氧化锌。

3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述施压层的厚度为2nm～5nm。

4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述半导体器件后，形成所述施压层前，还包括：在所述第二表面形成保护层。

5.如权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅或掺杂氟的硅玻璃。

6.如权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述施压层的步骤包括：在所述保护层表面形成初始施压层；在所述光电二极管区对应的所述初始施压层表面形成图形化层；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述初始施压层，直至露出所述保护层表面，形成所述施压层。

7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括浮栅及控制栅；形成所述半导体器件的步骤包括：形成浮栅，所述浮栅覆盖所述第一表面；形成控制栅，所述控制栅覆盖部分所述浮栅。

8.如权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述浮栅包括浮栅氧化层及浮栅电极层；形成所述浮栅的步骤包括：形成浮栅氧化层，所述浮栅氧化层覆盖所述第一表面；形成浮栅电极层，所述浮栅电极层覆盖所述光电二极管区对应的所述浮栅氧化层。

9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述控制栅包括介质层及控制栅电极层；形成所述控制栅的步骤包括：形成介质层，所述介质层覆盖部分所述浮栅电极层表面；控制栅电极层，所述控制栅电极层覆盖所述介质层表面。

10.一种采用如权利要求1所述的形成方法形成的图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底内具有光电二极管区；

半导体器件，位于所述第一表面；

施压层，位于所述光电二极管区的所述第二表面。