[发明专利]阵列基板及制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及制备方法，该阵列基板包括形成于所述衬底上方的低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管，以及氢离子薄膜，氢离子薄膜形成于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和源漏极层之间，且在所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的设置区域内形成开孔；基于该氢离子薄膜所产生的氢元素，改善低温多晶硅薄膜晶体管的电器特性与稳定性，同时氢元素不能扩散到金属氧化物半导体薄膜晶体管的设置区域，避免金属氧化物半导体薄膜晶体管的电器特性与稳定性受到氢元素影响，缓解了现有技术存在的不同类型薄膜晶体管不能在同一显示面板中长时间稳定工作的技术问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制备方法。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管是两种不同类型的薄膜晶体管，各有各的优点，例如低温多晶硅薄膜晶体管具有高载子迁移率,高稳定性,适合用于显示器的驱动电路，而金属氧化物半导体薄膜晶体管则具有较好的电性均匀性以及极低的关态漏电流,适合用于显示器的像素电路。

但是由于这两种薄膜晶体管对工作环境的要求不同，例如是否需要氢离子的不同等，不能长时间的工作于同一环境下，例如不能在同一显示面板中长时间稳定工作。

所以，现有技术存在不同类型薄膜晶体管不能在同一显示面板中长时间稳定工作的技术问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及制备方法，以缓解现有技术存在的不同类型薄膜晶体管不能在同一显示面板中长时间稳定工作的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

形成于所述衬底上方的低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管；以及

氢离子薄膜，形成于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和源漏极层之间，且在所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的设置区域内形成开孔。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和栅极之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一氧化硅层和第一氮化硅层，所述第一氮化硅层图案化形成所述氢离子薄膜中的第一氢离子薄膜。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极和源漏极层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括第二氧化硅层和第二氮化硅层，所述第二氮化硅层图案化形成所述氢离子薄膜中的第二氢离子薄膜。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二氧化硅层设置于所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极和有源层之间。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括形成于所述衬底上的缓冲层、以及位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层，所述第一氧化硅层和所述第三绝缘层叠层设置于所述缓冲层和所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极之间。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层设置在所述缓冲层上。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述缓冲层的材料为氧化硅。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括存储电容；

所述存储电容的第一电极板与所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，所述存储电容的第二电极板与所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极同层设置。