[发明专利]阵列基板及制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底上方的低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管；以及

氢离子薄膜，形成于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和源漏极层之间，且在所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的设置区域内形成开孔。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和栅极之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一氧化硅层和第一氮化硅层，所述第一氮化硅层图案化形成所述氢离子薄膜中的第一氢离子薄膜。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极和源漏极层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层包括第二氧化硅层和第二氮化硅层，所述第二氮化硅层图案化形成所述氢离子薄膜中的第二氢离子薄膜。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二氧化硅层设置于所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极和有源层之间。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括形成于所述衬底上的缓冲层、以及位于所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极和所述第二绝缘层之间的第三绝缘层；所述第一氧化硅层和所述第三绝缘层叠层设置于所述缓冲层和所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极之间。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层设置在所述缓冲层上。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的材料为氧化硅。

8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括存储电容；

所述存储电容的第一电极板与所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，所述存储电容的第二电极板与所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的栅极同层设置。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括保护层；所述第一氧化硅层和所述第一氮化硅层设置于所述缓冲层和所述存储电容的第一电极板之间，所述第三绝缘层设置于所述存储电容的第一电极板和第二电极板之间，所述第二氧化硅层和所述第二氮化硅层设置于所述存储电容的第二电极板和所述保护层之间。

10.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括；

提供衬底；

制备薄膜晶体管和氢离子薄膜；其中，所述薄膜晶体管包括形成于所述衬底上方的低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管，所述氢离子薄膜形成于所述低温多晶硅薄膜晶体管的有源层和源漏极层之间、且在所述金属氧化物半导体薄膜晶体管的设置区域内形成开孔。