[发明专利]自供电控制电路及控制方法以及开关电源电路有效
| 申请号: | 201910359960.X | 申请日: | 2019-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN111865086B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 林官秋;文鹏 | 申请(专利权)人: | 杭州必易微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
| 代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人: | 王松 |
| 地址: | 310053 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 供电 控制电路 控制 方法 以及 开关电源 电路 | ||
本发明揭示了一种自供电控制电路及控制方法以及开关电源电路,所述自供电控制电路包括双极结型晶体管BJT、BJT驱动器、单向导通控制器件、能量存储器件、第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3;第一开关S1的第一端分别连接双极结型晶体管BJT的发射极、单向导通控制器件的第一端,第一开关S1的第二端连接能量存储器件的第二端;第二开关S2的第一端连接双极结型晶体管BJT的基极,第二开关S2的第二端连接第一开关S1的第二端;第三开关S3的第一端连接BJT驱动器,第三开关S3的第二端连接双极结型晶体管BJT的基极。本发明可使VDD的控制电路和主电路电量的控制完全解耦;在保证VDD自供电稳定可靠的同时,主电路的电量可以自由调节,功率BJT的可靠工作也能得到保证。
技术领域
本发明属于微电子技术领域,涉及一种供电电路,尤其涉及一种自供电控制电路及控制方法以及开关电源电路。
背景技术
在无辅助绕组的隔离型电源变换电路,芯片电源端口VDD的控制部分和主电路电量的控制不解耦。
请参阅图1、图2,现有控制方案中,在将VDD电压控制到一定范围的同时,要么影响到变压器原边电流的峰值(进而影响到电源的输出电流);要么影响到功率BJT的预关断点。BJT是双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT)的缩写,又常称为双载子晶体管。
然而,如果预关断点在不合理的状态下,BJT或者工作在放大区,或者关断延迟大大增加;在电源损耗增大的同时,原边的电量也会受到一定程度的影响。
有鉴于此,如今迫切需要设计一种新的供电方式,以便克服现有供电方式存在的上述缺陷。
发明内容
本发明提供一种自供电控制电路及控制方法以及开关电源电路,使得VDD的控制电路和主电路电量的控制完全解耦;在保证VDD自供电稳定可靠的同时,主电路的电量(原边电流峰值)可以自由调节,功率BJT的可靠工作也能得到保证。
为解决上述技术问题,根据本发明的一个方面,采用如下技术方案:
一种自供电控制电路,所述自供电控制电路包括:
双极结型晶体管BJT;
BJT驱动器;
第一单向导通控制器件,第一单向导通控制器件为二极管D1;
能量存储器件,能量存储器件为电容C,能量存储器件的第一端连接所述第一单向导通控制器件的第二端;
第一开关S1,第一开关S1的第一端分别连接所述双极结型晶体管BJT的发射极、第一单向导通控制器件的第一端,第一开关S1的第二端连接能量存储器件的第二端;
第二开关S2,第二开关S2的第一端连接所述双极结型晶体管BJT的基极,第二开关S2的第二端连接第一开关S1的第二端;以及
第三开关S3,第三开关S3的第一端连接所述BJT驱动器,第三开关S3的第二端连接所述双极结型晶体管BJT的基极。
作为本发明的一种实施方式,所述自供电控制电路还包括驱动管理模块,用以控制所述第一开关S1、第二开关S2和第三开关S3的开关状态。
作为本发明的一种实施方式,所述驱动管理模块连接电流反馈引脚CS,根据所述电流反馈引脚CS的反馈信号控制所述第二开关S2和/或第三开关S3的开关状态。
作为本发明的一种实施方式,所述驱动管理模块包括VDD供电管理电路,VDD供电管理电路分别连接第一单向导通控制器件的第二端、第一开关S1的输入端、第二开关S2的输入端;所述VDD供电管理电路用以接收第一单向导通控制器件的输出信号,控制第一开关S1与第二开关S2的关断的时刻以及关断持续的时间。
作为本发明的一种实施方式,所述驱动管理模块包括:
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