[发明专利]使用沉积和去除进行的选择性层形成

权利要求书

1.一种用于在图案化衬底的第一表面上选择性形成介电材料的原子层沉积(ALD)方法，其包含：

提供包含第一表面和第二表面的衬底，其中所述第二表面的上面包含钝化层；

进行至少一个沉积循环，所述沉积循环包含使所述衬底与第一前体和包含氧气的第二反应物交替且依次地接触；

其中所述第二反应物与所述第一前体反应以在所述第一表面上形成介电材料；并且

其中所述钝化层在每个沉积循环期间被所述第二反应物灰化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面是介电表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述介电表面包含氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面包含低k材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二表面是金属表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属表面包含Co、Cu或W中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料是氧化物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧化物是氧化硅。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述氧化物是金属氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体包含金属前体、硅前体或其混合物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体是烷氨基硅烷。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含有机材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在第一沉积循环开始之前，相对于所述第一表面，在所述第二表面上选择性沉积所述钝化层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积循环重复执行多次以在所述第一表面上形成所期望厚度的氧化物膜。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含在每个沉积循环的开始与结束之间，在所述钝化层上选择性沉积额外钝化层。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述原子层沉积方法是等离子体增强式原子层沉积(PEALD)方法。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环始于所述衬底与所述第二反应物接触，随后与所述第一前体接触。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个沉积循环还包括在每个循环中使所述衬底与至少一种额外反应物接触。

19.根据权利要求1所述的方法，其中使所述衬底与所述第二反应物接触进一步包含用等离子体活化所述第二反应物。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电材料相对于所述钝化层在所述第一表面上选择性地形成。

21.根据权利要求1所述的方法，其中在所述钝化层上形成所述介电材料，并且其中通过所述钝化层的所述灰化，从所述钝化层去除所述介电材料，从而在所述第一表面上选择性地形成所述介电材料。