[发明专利]用于处理基板的装置

说明书

一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月30日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0050048的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。

背景技术

为了制造半导体设备，通过各种工艺，例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等，在基板上形成所需图案。在工艺中使用各种处理液，并且在工艺期间产生污染物和颗粒。在各工艺之前和之后需要执行用于将污染物和颗粒从基板去除的清洁工艺。

在清洁工艺中，通常用化学品和清洗液处理基板，然后将其干燥。干燥工艺是用于将残留在基板上的清洗液干燥的工艺。在干燥工艺中，基板上的清洗液被例如异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)的有机溶剂取代，有机溶剂的表面张力低于清洗液的表面张力，其后去除有机溶剂。然而，由于基板上形成的图案之间的临界尺寸(critical dimension,CD)的按比例降低，不容易去除残留在图案之间的空间中的有机溶剂。

最近，已经使用了通过使用超临界流体来去除残留在基板上的有机溶剂的工艺。与从外界密封的高温和高压空间中进行该超临界工艺，以满足超临界流体的特定条件。

在该高温和高压空间中，无法实现均匀的热对流，并且温度分布是不均匀的。通常，在其中处理基板的空间的中心部分具有比空间的边缘部分更高的温度。因此，通过超临界流体干燥产量可根据基板的区域改变，这可能导致工艺失败。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于均匀调节封闭空间中的温度分布的装置。

根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括腔室，其在内部具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；以及温度调节单元安装在腔室中并调节处理空间中的温度。温度调节单元包括加热构件，其加热处理空间和冷却构件，其冷却处理空间。冷却构件位于比加热构件更靠近腔室的中心轴线。

加热构件和冷却构件可具有彼此平行的纵向方向。

腔室可包括上主体和下主体，下主体与上主体结合以在内部形成处理空间。该装置还可包括致动器，该致动器在移动方向上移动上主体和下主体中的至少一个，用于在处理空间关闭的关闭位置和处理空间打开的打开位置之间的位置变化。加热构件和冷却构件的纵向方向可平行于该移动方向。加热构件可包括多个具有棒状的加热器、冷却构件可包括多个具有棒状的冷却器。当从上方观察时加热器可结合在一起以具有环形、当从上方观察时冷却器可结合在一起以具有环形。

腔室可具有形成于其中的冷却凹槽，冷却器插入到该冷却凹槽中。各冷却器可包括第一部件，其对于腔室具有第一热导率；和第二部件，其从第一部件延伸并对于腔室具有第二热导率，第二热导率比第一热导率低。

第一部件可位于比第二部件更靠近处理空间。

第一部件可具有大于第二部件的宽度。第一部件可与形成相应的一个冷却凹槽的一个表面接触，且第二部件可与该一个表面间隔开。冷却构件还可包括外主体，该外主体围绕第二部件和一个表面之间的空间。外主体可由用于阻碍第二部件和所述一个表面之间的热交换的绝热材料形成。

该装置还可包括气体供应单元，其将气体供应到处理空间中。气体供应单元可将气体供应至处理空间中，使得通过供应到处理空间中的气体，将处理空间中的压力升高至超出气体的临界压力。

附图说明