[发明专利]一种自适应线性化射频偏置电路有效
| 申请号: | 201910340074.2 | 申请日: | 2019-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN110098806B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
| 发明(设计)人: | 张志浩;章国豪;蓝焕青;钟立平;黄国宏;唐浩 | 申请(专利权)人: | 河源广工大协同创新研究院 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03G3/30;H04B1/04 |
| 代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人: | 李俊康 |
| 地址: | 517000 广东省河源市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 自适应 线性化 射频 偏置 电路 | ||
1.一种自适应线性化射频偏置电路,包括线性化偏置电路和射频放大器单元电路;其特征在于:所述线性化偏置电路通过自适应线性补偿电路与所述射频放大器单元电路连接;所述自适应线性补偿电路根据输入信号功率的变化调整功率放大器单元的偏置电压;所述线性化偏置电路包括异质结双极型晶体管HBT2、异质结双极型晶体管HBT3、异质结双极型晶体管HBT4、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电容C2;所述异质结双极型晶体管HBT4的集电极与所述线性化偏置电路端口连接;所述异质结双极型晶体管HBT2的基极与所述异质结双极型晶体管HBT3的基极并联后并通过电阻R3与所述线性化偏置电路端口连接;所述电容C2的一端分别与所述电阻R5和所述异质结双极型晶体管HBT1的基极连接,另一端接地;所述异质结双极型晶体管HBT2、异质结双极型晶体管HBT3和异质结双极型晶体管HBT4的发射极分别接地;所述电阻R4与所述电阻R5并联后分别与所述异质结双极型晶体管HBT3和异质结双极型晶体管HBT4的集电极连接;所述线性化偏置电路包括电阻R2、异质结双极型晶体管HBT1的基-射结二极管和电容C1;所述电容C1的一端与所述异质结双极型晶体管HBT1的基极连接,另一端接地;所述异质结双极型晶体管HBT1的发射极与所述电阻R2的一端连接,所述电阻R2的另一端与所述射频放大器单元电路端口连接;所述异质结双极型晶体管HBT1的集电极通过电阻R1与电源负极连接;所述射频放大器单元电路包括异质结双极型晶体管HBT0;所述异质结双极型晶体管HBT0的基极通过电容与射频信号输入端口连接;所述异质结双极型晶体管HBT0的集电极分别连接射频信号输出端口和电感。
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