[发明专利]阵列基板有效
| 申请号: | 201910334424.4 | 申请日: | 2019-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN110060639B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 薛炎 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 | ||
本发明提供一种阵列基板,该阵列基板包括GOA电路以及集成于所述GOA电路后端的多个OR逻辑门单元;所述GOA电路包括有多个级联的GOA单元,每个所述GOA单元包含有扫描信号端,至少三个连续的所述GOA单元通过所述扫描信号端接入一个所述OR逻辑门单元;这样可以降低输出脉宽,而脉冲宽度的降低利于降低第一节点(Q)的漏电流,有利于获得稳定的GOA输出信号,同时GOA电路能够正常级传。本发明的阵列基板能够实现补偿阶段的GOA超宽脉冲输出,同时适用于窄脉冲信号。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板。
背景技术
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active MatrixOLED,AMOLED)两大类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
目前大尺寸AMOELD面板像素电普遍采用外部补偿方案,外部补偿方案需要阵列基板中的GOA电路输出超宽脉冲信号(3ms),因而在输出阶段,GOA电路的第一节点(Q)需要长时间维持宽脉冲,而此时Q点处于浮动状态,如果TFT的漏电流较大,Q点无法维持长时间高电位,GOA则无法输出超宽脉冲。
因此,需要提出一种新的阵列基板,以解决上述问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板,能够利于实现补偿阶段的GOA超宽脉冲输出,以解决现有的阵列基板因TFT的漏电流较大,Q点无法维持长时间高电位,GOA无法输出超宽脉冲的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板包括GOA电路以及集成于所述GOA电路后端的多个OR逻辑门单元;
所述GOA电路包括有多个级联的GOA单元,每个所述GOA单元包含有扫描信号端,至少三个连续的所述GOA单元通过所述扫描信号端接入一个所述OR逻辑门单元。
根据本发明一优选实施例,设n为自然数,第n级所述GOA单元输出第n级所述扫描信号;
第n-1级所述扫描信号、第n级所述扫描信号、第n+1级所述扫描信号为第n-1级所述OR逻辑门单元的输入信号;
第n级所述扫描信号、第n+1级所述扫描信号、第n+2级所述扫描信号为第n级所述OR逻辑门单元的输入信号。
根据本发明一优选实施例,设m为自然数,所述GOA电路包括有m个所述GOA单元(mn),第m-1级和第m级所述GOA单元为虚拟GOA单元。
根据本发明一优选实施例,第n级OR逻辑门单元包括有六个薄膜晶体管,第一直流低电压,第二直流低电压,直流高电压,WR控制信号和OR逻辑门输出信号;
其中,第一薄膜晶体管的栅极连接所述直流高电压,源极和漏极分别连接第n级所述OR逻辑门输出信号和第二薄膜晶体管的栅极;
第二薄膜晶体管的源极和漏极分别连接所述直流高电压和第三薄膜晶体管的栅极;
第三薄膜晶体管的源极和漏极分别连接所述第二直流低电压和第n级所述OR逻辑门输出信号;
第四薄膜晶体管的栅极连接第n级所述扫描信号,源极和漏极分别连接所述WR控制信号和所述第一直流低电压;
第五薄膜晶体管的栅极连接第n+1级所述扫描信号,源极和漏极分别连接所述WR控制信号和所述第一直流低电压;
第六薄膜晶体管的栅极连接第n+2级所述扫描信号,源极和漏极分别连接所述WR控制信号和所述第一直流低电压。
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