[发明专利]阵列基板及显示装置在审
| 申请号: | 201910333288.7 | 申请日: | 2019-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN110061035A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
| 发明(设计)人: | 冯雪欢;吴思翔 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光单元 衬底 驱动电路 扫描信号线 行驱动电路 阵列基板 投影 显示装置 第一区 晶体管 栅极连接 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底;
驱动电路,设于所述衬底;
N行发光单元,设于所述驱动电路远离所述衬底的一侧;
所述驱动电路包括:
N行驱动电路单元,N行所述驱动电路单元中的每行所述驱动电路单元对应驱动一行所述发光单元发光,所述驱动电路单元包括第一晶体管和第二晶体管;
多条第一扫描信号线,所述多条第一扫描信号线中的一条第一扫描线在所述衬底上的投影位于一第一区,所述第一区为N行所述发光单元中任意相邻两行所述发光单元中的第一行发光单元在所述衬底上的投影和第二行发光单元在所述衬底上的投影之间的区域,所述第一行驱动电路的第二晶体管的栅极和所述第二行驱动电路的第一晶体管的栅极连接于一所述第一扫描信号线;
其中,扫描时所述第一行驱动电路单元先于所述第二行驱动电路单元,N≥2。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路还包括:
第二扫描信号线,其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第一侧,连接于扫描起始行的所述驱动电路单元的第一晶体管的栅极;
第三扫描信号线,其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第二侧,连接于扫描结束行的所述驱动电路单元的第二晶体管的栅极,其中,第一侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描起始行的一侧,第二侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描结束行的一侧。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路单元包括:
驱动晶体管,包括栅极、源极和漏极,其源极连接第一电源信号,所述发光单元的像素电极连接于驱动晶体管的漏极;
第一晶体管,栅极连接第n行第一扫描信号,源极连接数据信号,漏极连接所述驱动晶体管的栅极,用于响应所述扫描信号而导通以将所述数据信号传输至所述驱动晶体管的栅极;
第二晶体管,栅极连接连接第n+1行第一扫描信号,源极连接于所述驱动晶体管的漏极,漏极连接于第一节点,用于响应复位控制信号而导通以将第一节点的信号传输至所述驱动晶体管的漏极;
储能单元,第一端连接于所述驱动晶体管的栅极,第二端连接于所述驱动晶体管的漏极。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
参考电压子电路,连接于所述第一节点用于提供参考电压;
补偿检测子电路,连接于所述第一节点,用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述参考电压子电路包括:
参考电压端,用于输出参考电压;
第一开关单元,第一端连接于所述参考电压端,第二端连接于所述第一节点;
所述补偿检测子电路包括:
检测单元;
第二开关单元,第一端连接于所述检测单元,第二端连接于所述第一节点,所述检测单元用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
6.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动电路包括:
第一导电层,所述第一扫描信号线设于所述第一导电层;
第二导电层,所述第二导电层中设有数据信号线、第一电源线、第二电源线和检测信号线,所述第一晶体管的源极连接于所述数据信号线,所述驱动晶体管源极连接于所述第一电源线,所述第二晶体管的漏极连接于检测信号线。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电层和所述第二导电层之间设有绝缘层。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一扫描信号线沿第一方向设置,所述数据信号线沿第二方向设置,所述第一方向和第二方向相交。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





