[发明专利]互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质

说明书

本申请实施例公开了一种互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质，CIS包括半导体基底、亚波长像素单元以及读出电路；亚波长像素单元设置于半导体基底中，亚波长像素单元与读出电路连接；其中，亚波长像素单元包括三种不同尺寸参数的至少三个PD柱；三种不同尺寸参数的至少三个PD柱通过光学共振，按照预设波长对入射光进行吸收转换，获得入射光对应的电信号。

技术领域

本申请实施例涉及图像处理领域，尤其涉及一种互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质。

背景技术

图像传感器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，可以分为电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)和互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-OxideSemiconductor，CMOS)两种类型。其中，互补金属氧化物图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)因其制造工艺与信号处理芯片等制造工艺相兼容，易于集成片上系统，同时功耗相较于电荷耦合器件类传感器有较大优势，图像处理降噪算法可以提高信噪比，因此已在图像传感器应用领域占有优势地位。

传统的CIS可以包括前感光式(Front Side Illumination，FSI)和背感光式(BackSide Illumination，BSI)两种不同结构，而无论是FSI还是BSI，都需要设置滤光片控制同一个像素吸收RGB中的一种颜色，吸收效率低，从而大大降低了CIS的量子效率。

发明内容

本申请实施例提供了一种互补金属氧化物图像传感器、图像处理方法及存储介质，可以有效的提升吸收效率，从而大大提高CIS的量子效率。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种CIS，所述CIS包括：

半导体基底、亚波长像素单元以及读出电路；所述亚波长像素单元设置于所述半导体基底中，所述亚波长像素单元与所述读出电路连接；

其中，所述亚波长像素单元包括三种不同尺寸参数的至少三个PD柱；

所述三种不同尺寸参数的至少三个PD柱通过光学共振，按照预设波长对入射光进行吸收转换，获得所述入射光对应的电信号。

在上述方案中，所述预设波长包括红光对应的第一波长、绿光对应的第二波长以及蓝光对应的第三波长。

在上述方案中，所述至少三个PD柱对应的所述三种不同尺寸参数分别由所述第一波长、所述第二波长以及所述第三波长确定。

在上述方案中，所述至少三个PD柱分别用于吸收所述入射光中的红光、绿光以及蓝光。

在上述方案中，所述至少三个PD柱对应的形状包括长方体、圆柱体或者平行四边体中的一种。

在上述方案中，所述亚波长像素单元对应的像素尺寸小于所述第一波长、所述第二波长以及所述第三波长中的任意一个。

在上述方案中，所述CIS还包括：图像处理器，其中，所述读出电路与所述图像处理器连接。

在上述方案中，所述亚波长像素单元，配置为通过所述至少三个PD柱将所述入射光转换为所述电信号，并将所述电信号传输至所述读出电路；

所述读出电路，配置为将所述电信号转换为数字信号，得到原始数据，并将所述原始数据传输至所述图像处理器；

所述图像处理器，配置为根据所述原始数据生成所述入射光对应的图像。

在上述方案中，所述CIS还包括：透镜，其中，所述透镜与所述亚波长像素单元连接；

所述透镜，用于对所述入射光进行聚焦。

本申请实施例提供了一种图像处理方法，应用于CIS中，所述方法包括：