[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

在导线之上形成介电层；

在所述介电层之上形成图案化光阻层，其中所述图案化光阻层具有暴露所述介电层的开口；

以所述图案化光阻层作为蚀刻遮罩蚀刻所述介电层，以在所述介电层中形成通孔孔洞；

侧向扩展所述图案化光阻层的所述开口；

在侧向扩展所述图案化光阻层的所述开口之后，以所述图案化光阻层作为蚀刻遮罩蚀刻所述介电层，以扩展所述通孔孔洞；以及

在已扩展的所述通孔孔洞中形成导电通孔。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

在扩展所述通孔孔洞之后，移除所述图案化光阻层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，扩展所述通孔孔洞以使所述通孔孔洞具有底部分与在所述底部分之上的渐缩部分，且所述底部分的宽度变化小于所述渐缩部分的宽度变化。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，扩展所述通孔孔洞以使所述通孔孔洞在所述渐缩部分上方具有顶部分，且所述顶部分的宽度变化小于所述渐缩部分的宽度变化。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述渐缩部分从所述顶部分往所述底部分渐缩。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在侧向扩展所述图案化光阻层的所述开口之后，所述介电层的一部分保留在所述通孔孔洞下方。

7.如权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，扩展所述通孔孔洞以使所述介电层的所述部分被移除。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，侧向扩展所述图案化光阻层的所述开口以使所述介电层的顶表面被暴露。

9.一种半导体结构，其特征在于，包含：

半导体元件；

内连接结构，在所述半导体元件之上；

介电层，在所述内连接结构之上；以及

重分布层，包含在所述介电层上方的导电结构与从所述导电结构向下延伸并穿过所述介电层的导电通孔，其中所述导电通孔包含底部分、顶部分与渐缩部分，所述渐缩部分位于所述底部分与所述顶部分之间，其中所述渐缩部分的宽度变化大于所述底部分与所述顶部分的宽度变化。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述渐缩部分从所述顶部分往所述底部分渐缩。