[发明专利]一种磁过滤装置在审

专利信息
申请号: 201910326052.0 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110075995A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 董中林;黄钊;房景仕;丁良兵;白一峰;何文杰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号: B03C1/023 分类号: B03C1/023
代理公司: 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 代理人: 杨雪
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 束流管道 磁过滤装置 四极透镜 磁场线圈 带电粒子 端口位置 离子束流 粒子传输 偏转磁场 磁场线 大颗粒 圈套 流出
【说明书】:

发明公开一种磁过滤装置,包括束流管道、磁场线圈、四极透镜装置;所述磁场线圈套设于所述束流管道上,所述四极透镜装置对应设置于所述束流管道的端口位置,且设置于所述束流管道的外侧,离子束流通过所述束流管道的端部流入并从另一端流出;本发明所述磁过滤装置可产生偏转磁场,在粒子传输过程中达到将所需的带电粒子同大颗粒进行分离的目的。

技术领域

本发明涉及表面工程技术领域,具体涉及一种磁过滤装置。

背景技术

阴极电弧离子镀中的大颗粒来自于阴极弧斑在靶材表面不断移动燃烧时产生的中性粒子团簇,这些中性粒子团簇与等离子体一同喷发出来,飞落到正在沉积生长的膜层表面形成表面颗粒污染。

大颗粒的形成主要是由于在阴极斑点处过高的功率密度,阴极弧斑点放电集中,在靶材表面形成了局部非静态的、相当高的电流密度(可达105~108A/cm2)与非常高的局部功率密度(可达109W/cm2),为靶材提供了一个从固态完全离化为等离子体的局部相变条件,同时使得一些液滴从表面喷射出来,形成大颗粒污染。

鉴于上述缺陷,本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。

发明内容

为解决上述技术缺陷,本发明采用的技术方案在于,提供一种磁过滤装置,包括束流管道、磁场线圈、四极透镜装置;所述磁场线圈套设于所述束流管道上,所述四极透镜装置对应设置于所述束流管道的端口位置,且设置于所述束流管道的外侧,离子束流通过所述束流管道的端部流入并从另一端流出。

较佳的,所述磁过滤装置还包括入口法兰和出口法兰,所述入口法兰和所述出口法兰分别设置于所述束流管道的两端,所述入口法兰为离子束流进入所述磁过滤装置的入口,所述出口法兰为离子束流的出口,所述入口法兰和所述出口法兰均用于连接对应设备。

较佳的,所述四极透镜装置对应所述出口法兰设置。

较佳的,所述束流管道设置为弯管或直管。

较佳的,所述束流管道采用金属或非金属材料。

较佳的,所述磁场线圈由中空导线绕制而成,所述中空导线内部通入冷媒。

较佳的,所述中空导线的截面形状设置为圆形、方形或椭圆形中的一种。

较佳的,所述四极透镜装置由四块电磁极构成,环形均布于所述过滤管道出口端外部。

与现有技术比较本发明的有益效果在于:本发明所述磁过滤装置可产生偏转磁场,在粒子传输过程中达到将所需的带电粒子同大颗粒进行分离的目的。

附图说明

图1为本发明所述磁控溅射设备的结构示意图;

图2为所述束流管道常见形状图;

图3为所述导线线圈截面常见形状图。

图中数字表示:

1-入口法兰;2-束流管道;3-磁场线圈;4-四极透镜装置;5-出口法兰。

具体实施方式

以下结合附图,对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。

如图1所示,图1为本发明所述磁过滤装置的结构示意图;本发明所述磁过滤装置包括入口法兰1、束流管道2、磁场线圈3、四极透镜装置4、出口法兰5;所述入口法兰1和所述出口法兰5分别设置于所述束流管道2的两端,所述磁场线圈3套设于所述束流管道2上,所述四极透镜装置4对应设置于所述出口法兰5的位置,且设置于所述束流管道2的外侧。

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