[发明专利]一种瓷片造型工艺

权利要求书

1.一种瓷片造型工艺，其特征在于包括以下步骤：

a:设计丝网印刷图案，所述丝网印刷图案设有凸起预留区域，并制作相应的丝网；

b:制作普通平面砖坯；

c:选取步骤b中制出的普通平面砖坯，利用所述丝网在普通平面砖坯上进行第一次堆熔块，堆熔块的位置即步骤a中所制丝网的凸起预留区域；

d:将步骤c所得的砖坯送入高温窑炉进行第一次烧制，然后取出冷却；

e:在步骤d所得砖坯的顶面淋底釉；

f:用陶瓷喷墨机对步骤e中淋过底釉的砖坯顶面打印图案；

g:取步骤f中打印过图案的砖坯，在与步骤c中第一次堆熔块处相同的位置进行第二次堆熔块；

h:将步骤g所得的砖坯送入高温窑炉进行第二次烧制，然后取出冷却，得到根据图案位置局部凸起的瓷片。

2.根据权利要求1所述的瓷片造型工艺，其特征在于步骤c中第一次堆熔块和步骤g中第二次堆熔块均使用布料机通过所述丝网布施熔块。

3.根据权利要求1或2所述的瓷片造型工艺，其特征在于步骤c中第一次堆熔块和步骤g中第二次堆熔块所用的熔块大小均为80-180目。

4.根据权利要求1所述的瓷片造型工艺，其特征在于在步骤c中，根据步骤b所得砖坯的颜色选择色料，色料的颜色与砖坯的颜色相近或一致，第一次堆熔块前，熔块与所选色料混合均匀，在第一次堆熔块时一并布施上色料。

5.根据权利要求1所述的瓷片造型工艺，其特征在于步骤g中所用熔块为无色透明熔块。

6.根据权利要求1所述的瓷片造型工艺，其特征在于步骤d和步骤h采用同一个窑炉，第一次烧制和第二次烧制的温度均为360-1020℃，烧制时间均为50-70分钟。

7.根据权利要求6所述的瓷片造型工艺，其特征在于窑炉分为9个区实施烧制，按顺序为预热一区、预热二区、高温一区、高温二区、急冷一区、急冷二区、冷却一区、冷却二区和冷却三区，其中预热一区温度为360-500℃，预热二区温度为500-800℃，高温一区温度为800-1000℃，高温二区温度为1000-1020℃，急冷一区温度为1020-620℃，急冷二区温度为620-555℃，冷却一区温度为555-530℃，冷却二区温度为530-465℃，冷却三区为465-360℃，瓷砖经过每个区的时长相同，取出后自然冷却。

8.根据权利要求1所述的瓷片造型工艺，其特征在于在步骤f和步骤g之间还有一道工序步骤f’： 对步骤f中打印出图案的砖坯施上一层面釉；其后，步骤g所施的第二次熔块在所述面釉之上。