[发明专利]一种对温度敏感的发光半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910284532.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109957395B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 雷晓武;岳呈阳 | 申请（专利权）人： | 济宁学院 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C09K11/66;G01K11/32 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 卢登涛 |
| 地址： | 273100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 敏感 发光 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种对温度敏感的发光半导体材料，其特征在于：分子式为C14N4H30Cu2PbI6，属于立方晶系，Pa-3空间群，晶胞参数为Z＝4，晶胞体积为
2.一种如权利要求1所述对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：采用溶剂热反应合成，步骤为：以DABCO、CuI、PbI2为反应原料，DABCO为三乙烯二胺，投入到N,N-二甲基甲酰胺、氢碘酸和甲醇的混合溶剂中得混合液，将混合液装入聚四氟乙烯内胆，再密封于反应釜中，置于干燥箱中升温反应，自然冷却至室温，过滤混合液，将过滤得到的黄色块用蒸馏水洗涤后置于真空烘箱中烘干，即可得成品。
3.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：DABCO、CuI、PbI2的摩尔比为1～1.2:2～2.3:1～1.5。
4.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：N,N-二甲基甲酰胺、氢碘酸和甲醇的用量分别为：3～4mL、0.5～1mL、1～2mL。
5.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：反应釜置于干燥箱中反应时干燥箱温度为100-120℃，反应时间为4-6天。
6.根据权利要求2所述的对温度敏感的发光半导体材料的制备方法，其特征在于：真空烘箱中烘干温度为60摄氏度，烘干时间为5～6小时。
7.一种如权利要求1-6任一对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：根据荧光强度与发射峰位置对温度进行非接触式检测：荧光强度随温度升高而线性降低，荧光发射峰波长随温度升高而线性增大。
8.根据权利要求7所述的对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：荧光强度随温度升高而线性降低的温度范围为：80-220K，荧光发射峰波长随温度升高而线性增大的温度范围：80-260K。
9.根据权利要求7所述的对温度敏感的发光半导体材料的应用，其特征在于：荧光半导体在室温下发射波长为727nm的红光。
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