[发明专利]显示面板及制作方法在审
| 申请号: | 201910276226.7 | 申请日: | 2019-04-08 |
| 公开(公告)号: | CN110071225A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
| 发明(设计)人: | 范英春 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 辅助电极 显示面板 阴极层 发光保护层 显示面板边缘 显示区域边缘 电位增加 区域设置 显示区域 第一区 均一性 搭接 压降 申请 制作 | ||
1.一种显示面板,包括显示区域,其特征在于,
所述显示区域包括位于所述显示区域边缘的第一区;
所述第一区内设置有辅助电极及位于所述辅助电极上的发光保护层,所述发光保护层在所述辅助电极上的正投影与所述辅助电极部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述辅助电极包括第一电极和第二电极;
所述第一电极与所述显示面板的遮光层同层设置;
所述第二电极与所述显示面板的源漏极同层设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述显示区域还包括被所述第一区包围的第二区;
所述第二区内设置有:衬底、位于所述衬底上的薄膜晶体管单元、位于所述衬底上的发光器件层和像素定义层;
所述发光器件层包括位于所述薄膜晶体管单元上的阳极层、位于所述阳极层上的发光层、及位于所述发光层上的阴极层;
所述发光层及所述阴极层的一端与所述辅助电极连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述发光保护层及所述发光层在所述第二电极上的正投影不重叠,所述阴极层及所述发光层在所述第二电极上的正投影不重叠。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述发光保护层的材料为氧化硅、氮氧化硅或氮化硅中的一种或多种。
6.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成薄膜晶体管单元及辅助电极;
在所述辅助电极上形成发光保护层;
在所述薄膜晶体管单元形成发光器件层;
其中,所述显示区域包括位于所述显示区域边缘的第一区,所述辅助电极及所述发光保护层位于所述第一区内,所述发光保护层在所述辅助电极上的正投影与所述辅助电极部分重叠。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,
在所述衬底上形成薄膜晶体管单元及辅助电极的步骤包括:
在所述衬底上形成第一金属层,经图案化处理使所述第一金属层形成所述薄膜晶体管单元的遮光层及所述辅助电极的第一电极;
在所述遮光层及所述第一电极上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成所述薄膜晶体管单元的有源层、栅绝缘层、栅极、间绝缘层;
使用第一蚀刻工艺,在所述间绝缘层上形成第一过孔和第二过孔,
所述第一过孔使所述有源层部分裸露,所述第二过孔使所述第一电极部分裸露;
在所述间绝缘层形成第三金属层,经图案化处理使所述第三金属层形成所述薄膜晶体管单元的源漏极以及所述辅助电极的第二电极,
所述源漏极通过所述第一过孔与所述有源层电连接,
所述第二电极通过所述第二过孔与所述第一电极电连接。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,
在所述辅助电极上形成发光保护层的步骤包括:
在所述第二电极及所述源漏极上依次形成钝化层及平坦层;
使用第二蚀刻工艺,在所述钝化层及所述平坦层上形成第三过孔及第一开口;
在所述平坦层上形成第四金属层,经图案化处理使所述第四金属层形成所述发光器件层的阳极层、以及与所述辅助电极连接的第三电极,
所述第三电极搭接在所述第一开口远离所述薄膜晶体管单元的一侧;
在所述阳极层及所述第三电极上形成像素定义层,使用第三蚀刻工艺在所述阳极层上形成第二开口、以及所述第一开口所对应的所述像素定义层;
在所述第一开口内填充支撑物;
在所述像素定义层上形成一第一无机层,经图案化处理使所述第一无机层形成所述发光保护层;
去除所述支撑物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





