[发明专利]一种快速面测多晶硅片反射率的方法在审
| 申请号： | 201910269251.2 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111795953A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 熊震;李云珠;何秋湘;殷丽 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 多晶 硅片 反射率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种快速面测多晶硅片反射率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)测试不同晶向的硅片在不同工艺条件下所对应的反射率，建立得到反射率数据库；
(2)测试待测硅片的晶向分布情况，获得待测硅片的晶向分布情况；
(3)根据待测硅片的晶向分布情况，并结合所述步骤(1)建立的反射率数据库，计算得到待测硅片的反射率。
2.如权利要求1所述的快速面测多晶硅片反射率的方法，其特征在于，所述步骤(2)中晶向分布情况包括晶向类型及对应比例。
3.如权利要求2所述的快速面测多晶硅片反射率的方法，其特征在于，根据公式(Ⅰ)计算得到待测硅片在相应工艺条件下整个硅片的反射率，
f总＝f1×k1+f2×k2+…+fn×kn (Ⅰ)；
其中，f总为待测硅片的反射率；
fn为待测硅片中不同晶向类型下，所对应的反射率数据库中的反射率；
kn为待测硅片中不同晶向类型所对应比例；
n为≥1的整数，表示不同晶向类型。
4.如权利要求1所述的快速面测多晶硅片反射率的方法，其特征在于，所述步骤(1)中工艺条件包括制绒工艺和镀膜工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司，未经天合光能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910269251.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
