[发明专利]一种TiO2

权利要求书

1.一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，负极材料主体为硅酸钛锂Li₂TiSiO₅，同时硅酸钛锂复合有TiO₂畴结构对负极材料进行调控，硅酸钛锂Li₂TiSiO₅的质量百分数为90％-100％，不包含100％；或还包含表面碳包覆的TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料。

2.按照权利要求1所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，TiO₂畴结构位于硅酸钛锂Li₂TiSiO₅表面。

3.按照权利要求2所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，若硅酸钛锂Li₂TiSiO₅为片状结构时，则TiO₂畴结构分布在硅酸钛锂Li₂TiSiO₅片状结构的四周边形成环状结构。

4.按照权利要求1所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，所述的负极材料为颗粒，颗粒尺寸是微米或纳米；所述的硅酸钛锂Li₂TiSiO₅为单纯或改性硅酸钛锂，与所述的TiO₂畴结构形成复合结构。

5.按照权利要求4所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，其中改性硅酸钛锂材料包括碳包覆的硅酸钛锂材料、掺杂的硅酸钛锂材料以及既掺杂又包覆的硅酸钛锂材料中的任意一种或几种。

6.按照权利要求5所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，掺杂的硅酸钛锂，其掺杂元素包括金属阳离子和非金属阴离子；其中金属阳离子为Na⁺、K⁺、Cs⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Ba²⁺、Al³⁺、Bi³⁺、Ge^2+/4+、Sn^2+/4+、Zr⁴⁺、V^3+/5+、Nb⁵⁺、Ta⁵⁺、Cr³⁺、Mo^4+/6+、W^3+/4+/6+、Mn^3+/4+/7+、Fe^3+/4+、Co^3+/4+、Ni^2+/3+/4+、Cu^+/2+、Zn²⁺；其中非金属阴离子包括B、C、N、F、P、S、Cl、Br、I；掺杂质量百分数范围为0.001％-10％；掺杂元素种类是以上掺杂元素的一种或多种。

7.按照权利要求1所述的一种TiO₂畴结构调控硅酸钛锂负极材料，其特征在于，所述TiO₂畴结构在复合材料中的存在形式为结晶型包括锐钛矿结构，TiO₂-B结构，金红石结构中的一种或几种，其中TiO₂畴结构在X射线粉末衍射中特征峰位置出现在24-28°；TiO₂或为无定型状态，其复合材料在X射线粉末衍射谱中无明显峰出现。