[发明专利]增强抵抗电磁辐射的电路

权利要求书

1.一种增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，其包括至少一个增强抵抗电磁辐射的电路单元，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元包括：

静电保护电路，所述静电保护电路与对应的压焊区临近设置，且所述静电保护电路连接于所述压焊区和接地端之间；

开关，所述开关连接于所述压焊区和第一连接节点之间；

至少一个电磁辐射分担电路，所述电磁辐射分担电路远离所述静电保护电路设置，且所述电磁辐射分担电路连接于第一连接节点和接地端之间；

所述增强抵抗电磁辐射的电路单元还包括比较器，所述比较器的第一输入端输入所述压焊区的压焊区信号的工作电压，其第二输入端输入电磁辐射泄放电压阈值，其输出端与所述开关的控制端相连，当所述压焊区的电压大于所述电磁辐射泄放电压阈值时，所述比较器控制开关导通；当所述压焊区的电压小于所述电磁辐射泄放电压阈值时，所述比较器控制开关关断；或者，

所述增强抵抗电磁辐射的电路还包括处理器，所述处理器能提前预知无线通讯系统中出现的发射无线信号，并能预测所述系统自身产生的电磁辐射能量大于电磁辐射泄放能量阈值的时段，当到达所述时段时，所述处理器控制所述开关导通；当未到达所述时段时，所述处理器控制所述开关关断。

2.根据权利要求1所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述静电保护电路包括第一MOS管和第一电阻，所述第一MOS管的第一连接端与所述压焊区相连，其第二连接端与接地端相连，其控制端通过第一电阻与接地端相连，其衬体端与接地端相连，所述第一MOS管与所述压焊区临近设置；

所述电磁辐射分担电路包括第二MOS管和第二电阻，所述第二MOS管的第一连接端与所述第一连接节点相连，其第二连接端与接地端相连，其控制端通过第二电阻与接地端相连，其衬体端与接地端相连，所述第二MOS管远离所述第一MOS管设置。

3.根据权利要求2所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述第一MOS管为NMOS晶体管，其第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极；

所述第二MOS管为NMOS晶体管，其第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极。

4.根据权利要求2所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

当电磁辐射分担电路为多个电路单元共享时，所述电磁辐射分担电路中的第二MOS管远离共享的多个电路单元中的各个第一MOS管。

5.根据权利要求1所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述电磁辐射泄放电压阈值大于等于所述压焊区的压焊区信号的最大正常工作电压；或

所述电磁辐射泄放电压阈值为芯片的最高的电源电压，所述芯片为增强抵抗电磁辐射的电路所在的芯片。

6.根据权利要求2所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述第二MOS管的沟道宽度大于或等于200微米；

连接所述电磁辐射分担电路的金属连线的宽度大于或等于5微米。

7.根据权利要求2所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述第一MOS管和第二MOS管统称为MOS管，

所述MOS管包括呈梳状结构排布的多个子MOS管，所述多个子MOS管并联，且所述多个子MOS管在版图中是一样的；

所述MOS管的金属连接在转角时为钝角。

8.根据权利要求2所述的增强抵抗电磁辐射的电路，其特征在于，

所述第一MOS管和第二MOS管统称为MOS管，

所述MOS管的漏极的接触孔到栅极的间距大于等于4微米；

第一电阻和第二电阻为多晶硅电阻。