[发明专利]一种检测负载电流的方法有效

专利信息
申请号: 201910222362.8 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN109839532B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 肖哲飞 申请(专利权)人: 上海南芯半导体科技有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 代理人: 钟显毅
地址: 200120 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 检测 负载 电流 方法
【权利要求书】:

1.一种检测负载电流的方法,其特征在于,包括检测负载电流的控制电路,所述控制电路包括比较器,与比较器COMP_OUT端连接的逻辑控制电路,与逻辑控制电路连接的信号产生电路和隔离管栅极控制电路,与隔离管栅极控制电路连接的栅极驱动器,栅极和漏极同时与隔离管栅极控制电路连接的外置隔离管,以及一端与外置隔离管漏极连接、另一端接地且与外部负载连接的电容C,其中,比较器正输入端接入设有电压阈值的门限电压VS0-ΔV0,比较器负输入端接入用于检测电容C上电压的VS电压;

所述隔离管栅极控制电路包括源极同时与栅极驱动器和外置隔离管栅极连接并构成的电流镜的MOS管P1与MOS管P2,与MOS管P1漏极依次串联的MOS管N2、MOS管N1、电阻R1,一端同时与栅极驱动器和MOS管P1源极连接的电阻R4,漏极与电阻R4连接、源极接地的MOS管N4,一端与MOS管P2漏极连接、另一端与电容C一端连接的电阻R2,栅极与MOS管P2漏极连接、源极与外置隔离管栅极连接的MOS管P3,一端与MOS管P3漏极连接的电阻R3,漏极与电阻R3另一端连接、源极接地的MOS管N3,其中,所述MOS管N2的源极与MOS管N1的漏极连接,电阻R1一端与MOS管N1的源极连接、另一端接地,MOS管N1的栅极与信号产生电路连接,所述MOS管N2的栅极和MOS管N3的栅极同时与逻辑控制电路的一引脚连接,同时MOS管N4的栅极与逻辑控制电路的另一引脚连接,并且在MOS管N1的栅极、MOS管P3的源极和MOS管P3的栅极做电压检测分别记做VREF电压、VDRV电压、VGATE电压;

基于上述检测负载电流的控制电路的检测方法,包括如下步骤:

(S1)在比较器正输入端接入设有电压阈值的门限电压VS0-ΔV0,同时在比较器的负输入端接入检测电容C上电压的VS电压;

(S2)通过比较器判断固定时间间隔内门限电压VS0-ΔV0与VS电压的大小;

(S3)当VS电压小于门限电压VS0-ΔV0时,比较器输出高电平,此时电容C的电压下降明显,则说明与电容C连接的负载的负载电流大,反之则与电容C连接的负载的负载电流小。

2.根据权利要求1所述的一种检测负载电流的方法,其特征在于,所述逻辑控制电路由3位计数器和3/8译码器构成。

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