[发明专利]立体存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种立体存储器元件，包含：

一衬底；

多个导电层以及多个绝缘层，彼此交错堆叠位于该衬底上，以形成一多层堆叠结构，其中该多层堆叠结构具有多个第一孔洞沿第一方向排列，每一该第一孔洞穿过这些导电层及这些绝缘层；

一存储器层叠结构，具有一第一串列部、一第二串列部以及一底串列部，该第一串列部位于每一该第一孔洞内的侧壁的一边上，该第二串列部位于每一该第一孔洞内的侧壁的另一边上，该底串列部连接在该第一串列部以及该第二串列部之间；以及

一绝缘部，沿该第一方向延伸，且位于该存储器层叠结构的该第一串列部、该第二串列部以及该底串列部之间；

一第二孔洞，位于二相邻该第一孔洞之间；以及

一介电填充柱，位于该第二孔洞内；

其中，该介电填充柱具有一本体件，以及多个围绕于该本体件的侧凸出件分别接触这些导电层，该本体件与这些侧凸出件一体成形。

2.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中该第二孔洞的内径大于该绝缘部的厚度。

3.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中该介电填充柱的每一该侧凸出件的宽度大于该第二孔洞的内径。

4.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中该第一串列部或该第二串列部包含一U形通道层与一U形存储层，该U形存储层包覆在该U形通道层外。

5.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中该存储器层叠结构的该底串列部位于该多层堆叠结构的对应的该导电层内。

6.根据权利要求1所述的立体存储器元件，更包含一埋藏氧化层，其中该绝缘部的最底端对准该多层堆叠结构的最底层的该导电层或对准该埋藏氧化层。

7.根据权利要求1所述的立体存储器元件，其中每一个该侧凸出件位于紧邻的二个该绝缘层之间。

8.一种立体存储器元件的制作方法，包含：

交替沉积二种不同的绝缘层位于一衬底上，以形成一多层堆叠结构；

在该多层堆叠结构上沿第一方向刻蚀出多个第一孔洞，每一个该第一孔洞穿越该二种不同的绝缘层；

在每一个该第一孔洞内，形成一存储器层叠结构，其具有一第一串列部、一第二串列部以及一底串列部，该第一串列部位于每一该第一孔洞内的侧壁的一边上，该第二串列部位于每一该第一孔洞内的侧壁的另一边上，该底串列部连接于该第一串列部以及该第二串列部之间；

沿该第一方向刻蚀一沟槽切割这些第一孔洞；

在该沟槽内填入介电材料以形成一绝缘部，其位于这些存储器层叠结构的该第一串列部、该第二串列部以及该底串列部之间；

刻蚀一第二孔洞，位于该绝缘部，且位于二相邻该第一孔洞之间；

刻蚀该二种不同的绝缘层其中之一；

通过该第二孔洞沉积一导体材料而形成多个导电层在剩余的这些绝缘层之间；

刻蚀该第二孔洞内过多的导体材料以分离相邻的这些导电层；以及

沉积一介电填充柱，位于该第二孔洞内；

其中，该介电填充柱具有一本体件，以及多个围绕于该本体件的侧凸出件分别接触这些导电层，该本体件与这些侧凸出件一体成形。

9.根据权利要求8所述的制作方法，更包含：

刻蚀该第二孔洞内过多的导体材料，从而在该第二孔洞内的这些导电层上形成侧凹陷。