[发明专利]太赫兹光电探测器

说明书

本发明实施例提供一种太赫兹光电探测器，包括：上层结构；上层结构包括频率选择表面、微带线和肖特基二极管；频率选择表面通过微带线与肖特基二极管连接；频率选择表面用于吸收特定频率的入射波能量；微带线用于汇集入射波能量，并将汇集后的入射波能量传导至肖特基二极管；肖特基二极管用于对入射波能量进行整流，输出对应的直流电信号。本发明实施例提供的太赫兹光电探测器，通过微带线将频率选择表面吸收的入射波能量传导至肖特基二极管，从而利用肖特基二极管整流成直流电信号输出，同时实现了频率选择以及将太赫兹信号转化为直流电信号的功能。

技术领域

本发明实施例涉及光电子领域，更具体地，涉及一种太赫兹光电探测器。

背景技术

目前的太赫兹探测器主要为高莱管、热电堆和测辐射热计等，具有宽谱响应特点，无法满足选频测量的需求。在此类器件前端增加频率选择表面可以实现特定频率的光电探测。另外，在光电探测领域，能够将高频空间太赫兹信号转化为直流电信号是梦寐以求的技术之一。能吸收太赫兹波并输出直流电信号的探测器包括基于肖特基二极管的探测器、场效应晶体管和量子阱探测器等。但是，现有技术中缺乏一种能够同时实现频率选择以及将太赫兹信号转化为直流电信号的太赫兹光电探测器。

发明内容

为了解决上述问题，本发明实施例提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的太赫兹光电探测器。

本发明实施例提供一种太赫兹光电探测器，包括：上层结构；上层结构包括频率选择表面、微带线和肖特基二极管；频率选择表面通过微带线与肖特基二极管连接；频率选择表面用于吸收特定频率的入射波能量；微带线用于汇集入射波能量，并将汇集后的入射波能量传导至肖特基二极管；肖特基二极管用于对入射波能量进行整流，输出对应的直流电信号。

本发明实施例提供的太赫兹光电探测器，通过微带线将频率选择表面吸收的入射波能量传导至肖特基二极管，从而利用肖特基二极管整流成直流电信号输出，同时实现了频率选择以及将太赫兹信号转化为直流电信号的功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的太赫兹光电探测器的俯视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的太赫兹光电探测器的侧视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的太赫兹光电探测器在0.2～0.3THz的吸收谱；

图4为本发明实施例提供的肖特基二极管两端电压随频率的变化图。

图中，10：上层结构；11：矩形金属条；12：肖特基二极管；13：微带线；14：电阻；20：中层结构；30：底层结构。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种太赫兹光电探测器，参见图1和图2，太赫兹光电探测器包括：上层结构10；上层结构10包括频率选择表面、微带线13和肖特基二极管12；频率选择表面通过微带线13与肖特基二极管12连接；频率选择表面用于吸收特定频率的入射波能量；微带线13用于汇集入射波能量，并将汇集后的入射波能量传导至肖特基二极管12；肖特基二极管12用于对入射波能量进行整流，输出对应的直流电信号。