[发明专利]像素界定结构及其制作方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 201910194843.2 | 申请日: | 2019-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN109920825B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 邹振游;李梁梁;伍蓉;孔凯斌;霍亚洲;席文星 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 界定 结构 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种像素界定结构,其特征在于,包括:
第一像素界定部,形成在衬底基板上,且所述第一像素界定部具有像素开口;
凸块图案,形成在所述衬底基板上并位于所述像素开口内,且所述凸块图案与所述第一像素界定部之间具有间隙;所述凸块图案的材料与所述第一像素界定部的材料相同,且所述凸块图案包括多个间隔设置的凸块,且从所述凸块图案的中心至所述凸块图案的边缘,相邻所述凸块之间的间隙距离逐渐增大;
第二像素界定部,形成在所述第一像素界定部远离所述衬底基板的表面上;
其中,所述凸块图案被配置为与有机发光功能层接触;
所述凸块的厚度为0.5μm至1.0μm,所述第一像素界定部的厚度为1.0μm至2.0μm。
2.根据权利要求1所述的像素界定结构,其特征在于,所述凸块图案关于所述像素开口的中心线镜像对称。
3.根据权利要求1所述的像素界定结构,其特征在于,所述第一像素界定部及所述凸块图案采用亲液材料制作而成,所述第二像素界定部采用疏液材料制作而成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的像素界定结构,其特征在于,所述第一像素界定部远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述第一像素界定部靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的像素界定结构,其特征在于,所述第二像素界定部远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影位于所述第二像素界定部靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影内。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的像素界定结构,其特征在于,所述第二像素界定部靠近所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影面积等于所述第一像素界定部远离所述衬底基板的表面在所述衬底基板上的正投影面积。
7.一种像素界定结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一像素界定薄膜,所述第一像素界定薄膜具有至少一个像素区域,所述像素区域包括第一部及环绕所述第一部的第二部;
对所述第一部进行第一图案化处理,以形成凸块图案;所述凸块图案包括多个间隔设置的凸块,且从所述凸块图案的中心至所述凸块图案的边缘,相邻所述凸块之间的间隙距离逐渐增大;
对所述第二部进行第二图案化处理,以形成具有像素开口的第一像素界定部,所述像素开口内具有所述凸块图案,且所述第一像素界定部与所述凸块图案之间具有间隙;所述凸块图案的材料与所述第一像素界定部的材料相同;
在所述第一像素界定部远离所述衬底基板的表面形成第二像素界定部,以形成像素界定结构;
其中,所述凸块图案被配置为与有机发光功能层接触;
所述凸块的厚度为0.5μm至1.0μm,所述第一像素界定部的厚度为1.0μm至2.0μm。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述对所述第一部进行第一图案化处理,以形成凸块图案,包括:
在所述第一像素界定薄膜上形成光刻胶层;
对所述光刻胶层进行曝光、显影,以形成覆盖所述第一部的光刻胶图案;
以所述光刻胶图案作为光刻掩膜对所述第一部进行干刻工艺,以形成凸块图案;
去除所述光刻胶图案。
9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,
所述第一像素界定薄膜采用光刻有机材料制作而成;
所述对所述第一部进行第一图案化处理,以形成凸块图案,包括:
对所述第一部进行曝光、显影,以形成所述凸块图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910194843.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置
- 下一篇:显示背板及其制作方法、显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





