[发明专利]一种电子束器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910186955.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109887818A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛;严可为 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J23/09 | 分类号： | H01J23/09;H01J25/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子束器件 复合层 阴极 阳极 电子束流 晶格原子 半导体衬底表面 半导体材料 漂移 微型化 异质结界面 调制输出 排列整齐 施加电压 时间周期 运行距离 输入端 衬底 减小 偏置 调制 制作 半导体 | ||
1.一种电子束器件，其特征在于，包括：半导体衬底以及所述半导体衬底表面的GaN/AlGaN复合层，所述GaN/AlGaN复合层的一端设有阴极，所述GaN/AlGaN复合层的另一端设有阳极，所述阴极和所述阳极之间设有调制输入端和调制输出端。
2.根据权利要求1所述的电子束器件，其特征在于，所述GaN/AlGaN复合层的表面设有绝缘层，所述调制输入端和所述调制输出端包括：在分别距离所述阴极和所述阳极为预设距离的绝缘层上开设的窗口，以及在所述窗口内沉积的金属层，其中，所述金属层与所述GaN/AlGaN复合层形成金属-半导体接触。
3.根据权利要求1所述的电子束器件，其特征在于，所述GaN/AlGaN复合层的表面设有绝缘层，所述调制输入端和所述调制输出端包括：在分别距离所述阴极和所述阳极为预设距离的绝缘层上开设的窗口、所述窗口内沉积的栅介质层以及所述栅介质层上沉积的金属层，其中，所述窗口的底部延伸至所述GaN/AlGaN复合层中。
4.根据权利要求2或3所述的电子束器件，其特征在于，所述调制输入端、所述调制输出端包括一个或者多个。
5.根据权利要求4所述的电子束器件，其特征在于，所述GaN/AlGaN复合层是由一个或者多个GaN层，以及一个或者多个AlGaN层组成的复合层，其中，所述GaN层的厚度为10～2000纳米，所述AlGaN层的厚度为1～50纳米，所述阳极和所述阴极之间的距离为1微米～300毫米。
6.根据权利要求5所述的电子束器件，其特征在于，所述绝缘层包括Si3N4绝缘层，所述窗口的宽度为0.5～50微米，所述预设距离为1～50微米。
7.一种电子束器件，其特征在于，包括第一电子束器件和第二电子束器件，所述第一电子束器件和所述第二电子束器件包括权利要求1至6中任一项所述的电子束器件，所述第一电子束器件和所述第二电子束器件为同一半导体衬底，所述第一电子束器件的调制输出端和所述第二电子束器件的调制输入端连接。
8.一种电子束器件的制作方法，其特征在于，包括：
以半导体材料为底衬，在所述衬底的表面沉积GaN/AlGaN复合层；
在所述GaN/AlGaN复合层的一端制作阴极，在所述GaN/AlGaN复合层的另一端制作阳极；
在所述阴极和所述阳极之间制作调制输入端和调制输出端。
9.根据权利要求8所述的电子束器件的制作方法，其特征在于，
在所述GaN/AlGaN复合层的表面沉积绝缘层，在分别距离所述阴极和所述阳极为预设距离的绝缘层上开设窗口，并在所述窗口内沉积金属层，得到所述调制输入端和所述调制输出端，其中，所述金属层与所述GaN/AlGaN复合层形成金属-半导体接触。
10.根据权利要求8所述的电子束器件的制作方法，其特征在于，
在所述GaN/AlGaN复合层的表面沉积绝缘层，在分别距离所述阴极和所述阳极为预设距离的绝缘层上开设窗口，在所述窗口内沉积栅介质层，并在所述栅介质层上沉积金属层，得到所述调制输入端和所述调制输出端。
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