[发明专利]一种日光温室下栽培西葫芦栽培用基质及栽培的方法在审
| 申请号: | 201910174915.7 | 申请日: | 2019-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN109892199A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
| 发明(设计)人: | 郑剑超;董飞;智雪萍;陈烨华 | 申请(专利权)人: | 新疆生产建设兵团第十二师农业科学研究所 |
| 主分类号: | A01G24/20 | 分类号: | A01G24/20;A01G24/28;A01G24/15;A01G24/30;A01G31/00 |
| 代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人: | 舒欣 |
| 地址: | 830088 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基质 西葫芦 栽培 基质栽培 日光温室 土壤栽培 发酵蘑菇 重量份 泥炭 移栽成活率 商品果率 生长发育 湿度控制 发酵菌 缓苗期 珍珠岩 质量比 暴晒 复配 果率 加水 建堆 牛粪 尿素 制备 发酵 蘑菇 节约 | ||
1.一种日光温室下栽培西葫芦栽培用基质,其特征在于,由发酵蘑菇基质废料:泥炭:珍珠岩按照质量比为5~10:7:5~8复配而成,所述发酵蘑菇基质废料的制备方法为将蘑菇基质废料100重量份加入牛粪0.5~2重量份和尿素0.5~2份,加水使湿度控制在60-70%,后加入发酵菌建堆,发酵30-40d,再在阳光下暴晒5d。
2.如权利要求1所述的日光温室下栽培西葫芦栽培用基质,其特征在于,由发酵蘑菇基质废料:泥炭:珍珠岩按照质量比为7:7:6复配而成,所述发酵蘑菇基质废料的制备方法为将蘑菇基质废料100重量份加入牛粪1重量份和尿素1份,加水使湿度控制在60-70%,后加入发酵菌建堆,发酵30-40d,再在阳光下暴晒5d。
3.采用权利要求1或2所述的基质在日光温室下栽培西葫芦的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1栽培槽修建
栽培槽槽深20~30cm,槽宽50~70cm,槽间距50~70cm,槽内和槽间均铺上一层园艺地布,填基质至栽培槽4/5处,每个栽培槽铺设1条滴灌带;
S2种子处理及育苗
选择颗粒饱满均匀、无损伤的西葫芦种子,用温水浸泡后30~50min,再用清水浸种6~8小时,搓净种子表面的粘液并清洗干净,用干净的湿纱布包好,在25~32℃下催芽30-40小时,芽长0.3-0.5cm时即可播种,育苗管理参照常规管理;
S3定植
幼苗长至3叶1心时开始定植,每栽培槽定植一行,株距45-50cm,浇透水;
S4田间管理
缓苗期间白天温度控制在25-30℃,夜间15-18℃,坐瓜前控制水肥,坐瓜后温度白天控制在25-28℃,夜间13-16℃,同时加大水肥量,每5d浇水1次,每浇2次水随水追肥1次,每次亩施肥水溶肥20±5kg,瓜蔓长至30cm±5cm时,用绳茎相互缠绕法吊蔓,及时抹去侧芽,打除老叶病叶,在植株长至棚顶时,进行落蔓;
S5采收瓜长至350-450g时进行及时采收。
4.如权利要3所述的在日光温室下栽培西葫芦的方法,其特征在于,S1中栽培槽槽深25cm,槽宽60cm,槽间距60cm。
5.如权利要3所述的在日光温室下栽培西葫芦的方法,其特征在于,S2中将西葫芦种子采用50℃的温水的浸泡40min后再用清水浸种6-8小时。
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