[发明专利]3D NAND Flash存储器的测试算法及其装置

权利要求书

1.一种3D NAND Flash存储器的测试方法，其特征在于，所述存储器包括由P*Q个存储单元串组成的存储阵列，每个所述存储单元串具有N个NAND Flash的存储单元，第n层中每行的Q个存储单元连接于同一条字线，每列中的P个存储单元串连接至同一条位线，P、Q、N为大于1的自然数，n从0至N-1；所述测试方法，包括：

进行所述存储器的块擦除；

按地址第一变化顺序依次进行各页的第一操作，直至所有页的第一操作完成，每一页的所述第一操作包括依次进行的页的读操作、页的第一编程操作以及页的读操作，各页的第一编程操作按照第一测试向量进行，所述第一测试向量包括P个测试数据表，每个所述测试数据表包括N*Q个数据项，第p个测试数据表中第p对角线上的数据项为第一数据、其他数据为第二数据，第p对角线的起始数据项为第一行中第p个数据项，第p对角线的终止数据项为第N行中第N+p-1个数据项，p从1至P，所述第一数据为对应于编程操作的数据或对应于擦除操作的数据中的一种、所述第二数据为另一种；

对各页进行读操作。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在对各页进行读操作之后，还包括：

进行所述存储器的块擦除；

按地址第二变化顺序依次进行各页的第二操作，直至所有页的第二操作完成，每一页的所述第二操作包括依次进行的页的读操作、页的第二编程操作以及页的读操作，所述第二编程操作按照第二测试向量进行，所述第二测试向量为所述第一测试向量的取反向量，所述地址第一变化顺序为递增或递减中的一种、所述地址第二变化顺序为另一种；

对各页进行读操作。

3.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，所述第一变化顺序为递增，第二变化顺序为递减。

4.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，所述第一数据为对应于编程操作的数据，所述第二数据为对应于擦除操作的数据。

5.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，所述存储器还包括控制单元，所述测试方法在所述控制单元中执行；或者，所述测试方法在自动测试设备中执行。

6.一种3D NAND Flash存储器的测试装置，其特征在于，所述存储器包括由P*Q个存储单元串组成的存储阵列，每个所述存储单元串具有N个NAND Flash的存储单元，第n层中每行的Q个存储单元连接于同一条字线，每列中的P个存储单元串连接至同一条位线，P、Q、N为大于1的自然数，n从0至N-1；所述测试装置包括：

第一块擦除单元，用于进行所述存储器的块擦除；

第一操作单元，用于在所述第一块擦除单元执行块擦除之后，按地址第一变化顺序依次进行各页的第一操作，直至所有页的第一操作完成，每一页的所述第一操作包括依次进行的页的读操作、页的第一编程操作以及页的读操作，各页的第一编程操作按照第一测试向量进行，所述第一测试向量包括P个测试数据表，每个所述测试数据表包括N*Q个数据项，第p个测试数据表中第p对角线上的数据项为第一数据、其他数据为第二数据，第p对角线的起始数据项为第一行中第p个数据项，第p对角线的终止数据项为第N行中第N+p-1个数据项，p从1至P，所述第一数据为对应于编程操作的数据或对应于擦除操作的数据中的一种、所述第二数据为另一种；

第一读操作单元，用于在所述第一操作单元完成第一操作的执行之后，对各页进行读操作。

7.根据权利要求6所述的测试装置，其特征在于，还包括：

第二块擦除单元，用于在所述第一读操作单元执行各页的读操作之后，进行所述存储器的块擦除；

第二操作单元，用于在所述第二块擦除单元执行块擦除之后，按地址第二变化顺序依次进行各页的第二操作，直至所有页的第二操作完成，每一页的所述第二操作包括依次进行的页的读操作、页的第二编程操作以及页的读操作，所述第二编程操作按照第二测试向量进行，所述第二测试向量为所述第一测试向量取反向量，所述地址第一变化顺序为递增或递减中的一种、所述地址第二变化顺序为另一种；

第二读操作单元，用于在所述第二操作单元完成第二操作的执行之后，对各页进行读操作。