[发明专利]晶圆吹干设备有效
| 申请号: | 201910136581.4 | 申请日: | 2019-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN111613548B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 张瑞堂 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡洪贵 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 吹干 设备 | ||
1.一种晶圆吹干设备,包含:
一载座;
一承载架,可移动地设置在所述载座上,其中所述承载架配置成承载一晶圆,且所述承载架包含:
一第一承载部,其中所述第一承载部上设有复数个第一夹块;以及
一第二承载部,与所述第一承载部互相并合,其中所述第二承载部上设有复数个第二夹块分别对应所述复数个第一夹块,其中所述复数个第一夹块与所述复数个第二夹块位于所述第一承载部与所述第二承载部之间,以使所述第一承载部与所述第二承载部间形成一距离;以及
一吹气装置,设置在所述载座上,配置成朝向所述承载架吹气,
其中,所述复数个第一夹块中的每一个第一夹块朝向其对应的所述第二夹块的一第一表面上设有一第一凸出部;
所述复数个第二夹块中的每一个第二夹块朝向其对应的所述第一夹块的一第二表面上设有一第二凸出部;以及
其中所述第一凸出部与所述第二凸出部接触所述晶圆,所述第一表面与所述第二表面不接触所述晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述第一凸出部与所述第二凸出部中的每一个包含一圆柱结构、一圆弧结构、一角锥结构、一锥台结构、或复数个细柱结构。
3.如权利要求1所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述第一凸出部与所述第二凸出部中的每一个具有一第一斜面以及一第二斜面,其中所述第一斜面与所述第二斜面共同形成一棱线,且所述棱线接触所述晶圆。
4.如权利要求1所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述第一承载部与所述第二承载部为环形,且所述复数个第一夹块与所述复数个第二夹块共同夹持所述晶圆的周缘。
5.如权利要求1所述的晶圆吹干设备,其特征在于,
所述吹气装置包含一第一吹气单元及一第二吹气单元,所述第一吹气单元及所述第二吹气单元沿着垂直于所述承载架的移动方向相对设置并形成一吹气通道;以及
所述承载架可沿着所述载座移动并通过所述吹气通道,且所述第一吹气单元与所述第二吹气单元配置成分别对所述承载架的相对二侧吹气。
6.如权利要求5所述的晶圆吹干设备,其特征在于,每一所述第一吹气单元与所述第二吹气单元中的每一个的吹气方向是相对所述载座倾斜45度到60度。
7.如权利要求5所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述吹气装置还包含:
一固定架,设置在所述载座的一侧;
一第一调整装置,设置在所述固定架上且连接所述第一吹气单元,配置成调整所述第一吹气单元的吹气方向;以及
一第二调整装置,设置在所述固定架上且连接所述第二吹气单元,配置成调整所述第二吹气单元的吹气方向。
8.如权利要求5所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述吹气装置还包含一第一挡板以及一第二挡板,所述第一挡板以及所述第二挡板分别设置在所述第一吹气单元与所述第二吹气单元的前方。
9.如权利要求1所述的晶圆吹干设备,其特征在于,所述第一承载部与所述第二承载部的一侧互相枢接,且枢接处连接一旋转气压缸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





