[发明专利]一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极

说明书

本发明涉及薄膜太阳能电池制作技术领域，且公开了一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极，所述Ni浆电极包括以下重量份数配比的原料：60‑85g纳米Ni粉、7.68‑10.18g玻璃粉、5‑8mL丙烯酸单体、1.5‑3g水杨酸、4‑8g对亚二甲苯二胺、10‑20mL双酚A环氧树脂E‑44，所述Ni浆电极的制备方法包括以下步骤：先制备得到固化组分，再将固化组分与Ni粉、玻璃粉、双酚A环氧树脂E‑44置于球磨罐中球磨制备得到复合Ni浆，最后制备得到Ni浆电极。本发明解决了现有技术中CdTe和Ni背电极，在太阳光的长期辐射下，欧姆接触势垒发生升高的技术问题。

技术领域

本发明涉及薄膜太阳能电池制作技术领域，具体为一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极。

背景技术

CdTe薄膜太阳能电池是以p型CdTe和n型CdS为异质结的薄膜太阳能电池，如图1所示，在玻璃衬底1上一共沉积五层薄膜，依次为Ni基背电极2、背接触层3、厚度为5um的p-CdTe层4、厚度为80-150nm的n-CdS层5、厚度为300nm的TCO层6。

尽管Ni基背电极2通过背接触层3与p-CdTe层4能够形成良好的欧姆接触，但是在太阳光的长期辐射下，Ni基背电极2与背接触层3之间的层间界面作用力会发生减弱现象，层间作用力的减弱会使Ni基背电极2与背接触层3产生层间间隙，层间间隙会导致Ni基背电极2与p-CdTe层4之间的欧姆接触势垒升高。

如果能通过增强Ni基背电极2与背接触层3之间的粘结性能，以增强Ni基背电极2与背接触层3之间层间界面作用力，则能够有效地起到提高Ni基背电极2与p-CdTe层4之间的欧姆接触性能的技术目的。

本发明提供一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极，旨在解决现有技术中CdTe和Ni背电极，在太阳光的长期辐射下，欧姆接触势垒发生升高的技术问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极，解决了现有技术中CdTe和Ni背电极，在太阳光的长期辐射下，欧姆接触势垒发生升高的技术问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种能降低与CdTe吸收层接触势垒的Ni浆电极，所述Ni浆电极包括以下重量份数配比的原料：60-85g纳米Ni粉、7.68-10.18g玻璃粉、5-8mL丙烯酸单体、1.5-3g水杨酸、4-8g对亚二甲苯二胺、10-20mL双酚A环氧树脂E-44。

优选的，所述玻璃粉由2g平均粒径≤3um的PbO、1g平均粒径≤50nm的B₂O₃、1.2g平均粒径≤50nm的SiO₂、2.5g平均粒径≤50nm的Bi₂O₃、0.5g平均粒径≤100nm的Li₂O、0.38g平均粒径≤100nm的MgO、1g平均粒径≤100nm的ZnO、0.3g平均粒径≤50nm的TiO₂、0.8g平均粒径≤100nm的Al₂O₃、0.5g平均粒径≤50nm的SnO₂组成。

优选的，所述纳米Ni粉的平均粒径≤50nm。

优选的，所述Ni浆电极的制备方法包括以下步骤：

S1.取60-85g纳米Ni粉，备用；

S2.配制7.68-10.18g玻璃粉，备用；

S3.以5-8mL丙烯酸单体、1.5-3g水杨酸促进剂与4-8g对亚二甲苯二胺固化剂为原料，制备得到固化组分；