[发明专利]一种功率放大器有效
| 申请号: | 201910112976.0 | 申请日: | 2019-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN109921754B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
| 发明(设计)人: | 秦佩;黄旭;马晓华;侯中生;邵继强 | 申请(专利权)人: | 北京首赫防务科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司: | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人: | 杨永梅 |
| 地址: | 100080 北京市门头沟区石*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,包括:
晶体管M,所述晶体管M为GAN高功率晶体管;
第一偏置电压电路110、第二偏置电压电路120、输入匹配电路130和输出匹配电路140;其中,所述第一偏置电压电路110及所述输入匹配电路130连接至所述晶体管M的栅极,所述第二偏置电压电路120及所述输出匹配电路140连接至所述晶体管M的漏极;
所述输入匹配电路130包括第一电容C1和第二电容C2,其中,所述第一电容C1和第二电容C2的一端分别与所述晶体管M的栅极相连接,所述第一电容C1和第二电容C2的另一端分别接地,所述第一电容C1和第二电容C2用于调节所述输入匹配电路130的输入阻抗;
所述输出匹配电路140包括第一匹配电路,所述第一匹配电路用于调节所述输出匹配电路140的输出阻抗;所述第一匹配电路包括第一电感L1、第一传输线TL1和第四电容C4,其中,所述第一电感L1和第一传输线TL1的第一端口与所述晶体管M的漏极相连接,所述第一电感L1的第二端口与所述第二偏置电压电路120相连接,所述第一传输线TL1的第二端口与所述第四电容C4的第一端口相连接,所述第四电容C4的第二端口接地。
2.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述晶体管M采用CGH55030。
3.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述输入匹配电路130还包括:
第三电容C3,其中,所述第三电容C3的一端与输入端口相连接,所述第三电容C3的另一端与所述晶体管M的栅极相连接。
4.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述第一传输线TL1的宽度为1.75毫米,所述第一传输线TL1的长度的范围为4.6毫米至8.6毫米。
5.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述输出匹配电路140还包括:第五电容C5,其中,所述第五电容C5的一端与所述晶体管M的漏极相连接,所述第五电容C5的另一端接地。
6.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述输出匹配电路140还包括:第六电容C6,其中,所述第六电容C6的一端与所述第四电容C4的第一端口相连接,所述第六电容C6的另一端与输出端口相连接。
7.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述第一偏置电压电路110用于给所述晶体管M提供门限电压,包括:
第一外部电源单元和第一直流偏置单元,所述第一直流偏置单元的一端与所述晶体管M的栅极相连接,所述第一直流偏置单元的另一端与所述第一外部电源单元相连接。
8.如权利要求1所述的放大器,其特征在于,所述第二偏置电压电路120用于给所述晶体管M提供工作电压,包括:
第二外部电源单元和第二直流偏置单元,所述第二直流偏置单元与所述第一电感L1的第二端口相连接,所述第二直流偏置单元的另一端与所述第二外部电源单元相连接。
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