[发明专利]溅射靶材及其制造方法

说明书

本公开提供一种Ag分布均匀性高的AgIn溅射靶材及其制造方法。一种溅射靶材，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：|B－C|/A×100≤30(％)，在此，A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)；B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)；C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。

技术领域

本公开涉及一种溅射靶材及其制造方法。更具体而言，涉及一种含有In和Ag的溅射靶材及其制造方法。

背景技术

CIGS系太阳电池是将铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)这四种元素作为主要原料的化合物半导体系太阳电池。作为CIGS的成膜方法，可以列举出印刷法、同时沉积法、溅射法等。

在非专利文献1中，报告了通过向CIGS太阳电池的吸收层添加Ag能够实现高效率化。在该文献中，作为成膜的方法，公开了如下方法：使Ag前体沉积于SLG/Mo基板上后，使用Cu、In、Ga以及Se各单质进行同时沉积。

在专利文献1中，公开了光学高反射镜、硬钎焊接合材料、银制装饰品的制造、以及半导体封装用的极细银合金线所使用的InAg合金材料。公开了该合金材料通过如下方式而得到：将银颗粒以及铟颗粒混合，进行真空加热，在真空装置中进行冷却，然后，进行退火。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2016/0376684号说明书

非专利文献

非专利文献1：Solar EnergyMaterials&SolarCells146(2016)114-120

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述，作为成膜方法，可以列举出同时沉积法、溅射法等，其中沉积法在以小面积使组成变化的情况下优异。另一方面，在大面积的成膜中，从膜厚分布的良好度的观点出发，溅射法更为优异。但是，在通过溅射法形成添加了Ag的CIGS的薄膜的情况下，还没有开发出能够用于该溅射法的含有Ag以及In的溅射靶材。为了实现实用化，理想的是能够在靶的整个寿命中以一定的Ag浓度进行溅射。为此，期望一种Ag在厚度方向均匀分布的含有Ag以及In的溅射靶材。因此，本公开的目的在于，提供一种能够用于溅射法，且Ag分布均匀性高的含有Ag以及In的溅射靶材。

用于解决问题的方案

本发明人进行了深入研究，结果发现：通过进行合金化、铸造、急冷等，能够得到Ag均匀分布的InAg溅射靶材。基于这样的见解，一实施方式的发明被如下特定。

(发明1)

一种溅射靶材，其中，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：|B－C|/A×100≤30(％)，在此，A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)；B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)；C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。

(发明2)

根据发明1的溅射靶材，其中，含有1～10原子％的Ag。

(发明3)

根据发明1或2的溅射靶材，其中，氧浓度为150质量ppm以下。

(发明4)

根据发明1～3中任一项所述的溅射靶材，其中，Fe浓度为3质量ppm以下。

(发明5)