[发明专利]溅射靶材及其制造方法在审
| 申请号： | 201910112452.1 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110295349A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;山本浩由 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射靶材 算式 分布均匀性 均匀性 制造 | ||
1.一种溅射靶材，其中，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，
在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：
|B－C|/A×100≤30(％)
在此，
A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)
B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)
C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。
2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中，
含有1～10原子％的Ag。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶材，其中，
氧浓度为150质量ppm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶材，其中，
Fe浓度为3质量ppm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的溅射靶材，其特征在于，
存在AgIn2。
6.一种溅射靶材，是权利要求1～5中任一项所述的溅射靶材，其中，
还含有Cu和/或Ga。
7.一种溅射靶材，是权利要求1～5中任一项所述的溅射靶材，其中，
还具备背板或背管和接合层，
所述接合层含有选自In、InAg合金、InSn合金、InGa合金、InBi合金、以及InZn合金中的一种以上。
8.一种方法，是权利要求1～7中任一项所述的溅射靶材的制造方法，其中，
包括如下工序：
将Ag和In合金化；以及
对合金化而成的材料进行铸造，
所述铸造的工序包括用水来冷却铸模的步骤。
9.一种方法，是权利要求8的方法，其中，
还包括去除氧化物炉渣的工序。
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