[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：

多个LED子芯片；

每个所述LED子芯片包括：

衬底；

位于衬底上的外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；

位于所述外延层上的第一电极和第二电极；

位于相邻两个所述LED子芯片之间的隔离深沟槽，所述隔离深沟槽贯穿所述外延层；

位于所述隔离深沟槽内的桥接绝缘隔离层；

位于所述桥接绝缘隔离层上的桥接电极，所述桥接电极连接相邻两个所述LED子芯片的电极；

其中，所述桥接绝缘隔离层覆盖的隔离深沟槽对应的所述第二型半导体层、所述有源层和部分第一型半导体层的侧壁为非粗化侧壁，其余所述外延层侧壁为粗化侧壁。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述粗化侧壁为不规则粗化形状。

3.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述粗化侧壁为规则的锯齿粗化形状。

4.根据权利要求3所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述锯齿粗化形状的锯齿形状为三角形或半圆形。

5.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，还包括位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层。

6.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。

7.一种高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，用于形成权利要求1-6任意一项所述的高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；

开设暴露所述第一型半导体层的凹槽；

开设延伸至所述衬底的隔离深沟槽，所述隔离深沟槽用于隔离，形成LED子芯片；

在部分所述第二型半导体层上、所述隔离深沟槽的部分底面和侧面，形成桥接绝缘隔离层；

刻蚀所述桥接绝缘隔离层未覆盖的隔离深沟槽的侧壁和所述外延层的侧壁，进行粗化；

在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘层上制作桥接电极。

8.根据权利要求7所述的高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述桥接绝缘隔离层未覆盖的隔离深沟槽的侧壁和所述外延层的侧壁，进行粗化，具体包括：

采用湿法刻蚀方法，将所述桥接绝缘隔离层未覆盖的隔离深沟槽的侧壁和所述外延层的侧壁，进行粗化。

9.根据权利要求7或8所述的高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘隔离层上制作桥接电极之前，还包括：

在所述第二型半导体层和部分所述桥接绝缘隔离层上，制作形成透明导电层。

10.根据权利要求7或8所述的高压LED芯片结构制作方法，其特征在于，在所述第一型半导体层上制作第一电极，在所述第二型半导体层上制作第二电极，在所述桥接绝缘隔离层上制作桥接电极之后，还包括：

在整个高压LED芯片结构表面沉积绝缘保护层，且在所述第一电极和所述第二电极上表面开出窗口。