[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。用以解决相关技术中像素界定层采用梯形结构所出现的咖啡环效应，以及采用倒梯形结构所出现的阴极层断层的问题。一种阵列基板，包括：衬底，以及形成在衬底上的像素界定层，像素界定层将衬底划分为多个亚像素区域；像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，第二界定层的下表面的宽度大于第一界定层的上表面的宽度，以在第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于第二界定层的缩进结构。本发明实施例用于通过喷墨打印技术制作OLED显示面板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。

背景技术

目前，采用喷墨打印技术制作OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示面板和QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板是实现低成本和大面积全彩化显示的最有效途径。

发明内容

本发明的主要目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，用以解决相关技术中像素界定层采用梯形结构所出现的咖啡环效应，以及采用倒梯形结构所出现的阴极层断层的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底，以及形成在所述衬底上的像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构。

可选的，所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米，所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米。

可选的，所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜。

可选的，所述疏水薄膜为碳氟聚合物薄膜。

可选的，所述第一界定层为氮化硅薄膜，所述第二界定层为氧化硅薄膜。

可选的，所述亚像素区域内设置有发光功能层，所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。

可选的，所述阵列基板还包括形成在所述衬底和所述像素界定层之间的阳极层，以及形成在所述发光功能层和像素界定层上的阴极层，其中，所述阳极层包括设置在每个所述亚像素区域内的阳极。

可选的，所述阳极层包括从下到上依次层叠设置的反射金属电极层和透明电极层；所述阴极层包括从下到上依次层叠设置的金属电极层和透明的电极保护层。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：在一衬底上形成像素界定层，所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域；所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层，所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度，以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构，所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜；其中，所述第一界定层的刻蚀选择比大于所述第二界定层的刻蚀选择比，且所述第一界定层和所述第二界定层通过同一次构图工艺形成。

可选的，还包括：利用碳氟化合物对所述第二界定层裸露在外的表面进行等离子体处理，以在所述第二界定层的上表面形成疏水薄膜。