[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板有效
| 申请号: | 201910093779.9 | 申请日: | 2019-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN109830513B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 宫奎;段献学;张志海;尹洋植 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底,以及形成在所述衬底上的像素界定层,所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域;
所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层,所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度,以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构;
所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米,所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米;
所述亚像素区域内设置有发光功能层,所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二界定层的上表面形成有疏水薄膜。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述疏水薄膜为碳氟聚合物薄膜。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一界定层为氮化硅薄膜,所述第二界定层为氧化硅薄膜。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述阵列基板还包括形成在所述衬底和所述像素界定层之间的阳极层,以及形成在所述发光功能层和像素界定层上的阴极层,其中,所述阳极层包括设置在每个所述亚像素区域内的阳极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述阳极层包括从下到上依次层叠设置的反射金属电极层和透明电极层;
所述阴极层包括从下到上依次层叠设置的金属电极层和透明的电极保护层。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在一衬底上形成像素界定层,所述像素界定层将所述衬底划分为多个亚像素区域;所述像素界定层包括从下到上依次层叠设置的第一界定层和第二界定层,所述第一界定层的刻蚀选择比大于所述第二界定层的刻蚀选择比,且所述第一界定层和所述第二界定层通过同一次构图工艺形成;
其中,所述第二界定层的下表面的宽度大于所述第一界定层的上表面的宽度,以在所述第一界定层沿宽度方向的两侧形成相对于所述第二界定层的缩进结构;并且,所述第一界定层的厚度为0.5-1.5微米,所述第二界定层的厚度为0.5-1.0微米;
在所述亚像素区域内形成发光功能层,所述发光功能层的厚度与所述第一界定层的厚度之差大于或等于0小于或等于100纳米。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
还包括:利用碳氟化合物对所述第二界定层裸露在外的表面进行等离子体处理,以在所述第二界定层的上表面形成疏水薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





