[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，具备：

多个第1导电体层，在第1方向上相互隔开地配置，且沿与所述第1方向交叉的第2方向分别延伸；

第2导电体层，相对于所述多个第1导电体层中的最上层向上方隔开地配置；

第1半导体层，沿所述第1方向延伸；

积层体，在所述第2方向上配置在所述第1半导体层与所述多个第1导电体层之间及所述第1半导体层与所述第2导电体层之间，且包含电荷蓄积层；以及

第2半导体层，配置在所述积层体与所述第2导电体层间；且

所述第1半导体层至少从与所述第1导电体层的最上层对向的部分至与所述第2导电体层对向的部分为止为连续膜。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述积层体至少从与所述第1导电体层的最上层对向的部分至与所述第2导电体层对向的部分为止为连续膜。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第2半导体层设置成圆筒状。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，包含所述第2半导体层的外径与所述积层体的外径之间连续地变化的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述积层体包含与所述第1半导体层接触的隧道氧化膜、与所述第2半导体层接触的阻挡绝缘膜、及所述隧道氧化膜与所述阻挡绝缘膜之间的绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还具备沿所述第1方向延伸且由所述第1半导体层覆盖的第1绝缘体层。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

设置着所述第1导电体层的层中的所述第1绝缘体层的外径比设置着所述第2导电体层的层中的所述第1绝缘体层的外径大，且设置着所述第1导电体层的层中的所述第1半导体层的厚度与设置着所述第2导电体层的层中的所述第1半导体层的厚度大致相同。

8.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

所述第1绝缘体层在与经积层的所述第1导电体层交叉的部分设置成圆筒状。

9.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，还包含第3半导体层，所述第3半导体层与所述第1绝缘体层、所述第1半导体层及所述积层体各自的上表面相接。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中

所述第2半导体层的侧面与所述第3半导体层的侧面对齐，且所述第2半导体层与所述第3半导体层之间通过第2绝缘体层而绝缘。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体存储器装置，还具备狭缝，所述狭缝将所述第2导电体层分断且在内部形成绝缘体，并且与所述第2半导体层接触。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体存储器装置，还具备第4半导体层，所述第4半导体层与所述第2导电体层接触，且设置在所述第2导电体层的底部。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体存储器装置，还包含所述第2半导体层与所述积层体之间的高介电膜。

14.根据权利要求6至10中任一项所述的半导体存储器装置，其中

所述第1绝缘体层的上表面包含在比设置着所述第2导电体层的层靠上的层。

15.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体存储器装置，其中

所述第1导电体层与所述第1半导体层交叉的部分作为存储单元晶体管发挥功能，所述第2导电体层与所述第1半导体层交叉的部分作为选择晶体管发挥功能。