[发明专利]一种奥美沙坦酯晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种奥美沙坦酯晶体，其特征在于，所述奥美沙坦酯晶体的X-射线粉末衍射图谱在衍射角2θ为7.4±0.2、8.4±0.2、9.1±0.2、9.6±0.2、10.9±0.2、11.2±0.2、11.6±0.2、12.0±0.2、12.8±0.2、13.4±0.2、14.9±0.2、16.0±0.2、16.8±0.2、17.3±0.2、18.0±0.2、18.7±0.2、19.4±0.2、19.7±0.2、20.4±0.2、21.0±0.2、22.2±0.2、22.8±0.2、23.5±0.2、24.7±0.2、25.6±0.2、26.3±0.2、27.9±0.2、29.3±0.2、29.7±0.2、30.4±0.2、30.7±0.2、31.9±0.2、32.8±0.2、32.6±0.2、33.8±0.2、34.9±0.2、35.1±0.2、36.1±0.2、36.6±0.2、37.2±0.2、38.2±0.2、39.3±0.2、39.6±0.2、40.9±0.2、43.6±0.2、44.3±0.2、44.5±0.2、45.8±0.2、46.1±0.2、47.2±0.2、47.8±0.2、49.2±0.2、49.6±0.2、50.7±0.2、53.4±0.2、55.0±0.2处有衍射峰。

2.如权利要求1所述的一种奥美沙坦酯晶体，其特征在于，所述奥美沙坦酯晶体具有如下的X-射线粉末衍射图谱：

3.如权利要求2所述的一种奥美沙坦酯晶体，其特征在于，所述奥美沙坦酯晶体具有基本上如图1所示的X-射线粉末衍射图谱。

4.如权利要求1所述的一种奥美沙坦酯晶体，其特征在于，所述奥美沙坦酯晶体的红外光谱在3293±2cm^-1、2972±2cm^-1、2932±2cm^-1、2743±2cm^-1、1831±2cm^-1、1741±2cm^-1、1707±2cm^-1、1503±2cm^-1、1474±2cm^-1、1448±2cm^-1、1426±2cm^-1、1391±2cm^-1、1364±2cm^-1、1333±2cm^-1、1300±2cm^-1、1285±2cm^-1、1258±2cm^-1、1221±2cm^-1、1167±2cm^-1、1139±2cm^-1、1092±2cm^-1、1055±2cm^-1、1002±2cm^-1、954±2cm^-1、926±2cm^-1、887±2cm^-1、873±2cm^-1、825±2cm^-1、782±2cm^-1、765±2cm^-1、741±2cm^-1处有吸收峰。

5.如权利要求1所述的一种奥美沙坦酯晶体，其特征在于，所述奥美沙坦酯晶体的拉曼光谱在1727±2cm^-1、1697±2cm^-1、1599±2cm^-1、1280±2cm^-1、982±2cm^-1处有吸收峰。

6.如权利要求1～5任意一项所述的奥美沙坦酯晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将奥美沙坦酯粗品溶于为体积比为100∶1～10的二氧六环-水的混合溶剂中；加热回流；静置析晶；减压浓缩；回收奥美沙坦酯晶体。