[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号: | 201910079946.4 | 申请日: | 2019-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN110120359B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
| 发明(设计)人: | 根来世 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下,也能够以极其稳定的品质处理基板的基板处理方法和基板处理装置。在供给容器中贮存处理液。测量处理液的溶解氧浓度。通过向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体,根据测量出的处理液的溶解氧浓度调整供给容器内的处理液的溶解氧浓度。向基板供给供给容器内的处理液。由供给容器回收供给至基板的处理液。在由供给容器回收处理液之前,使不需要气体在处理液中减少,不需要气体是浓度调整气体以外的气体,在基板的处理中溶入处理液中。
本申请基于2018年2月7日提出的日本国专利申请2018-019826号主张优先权,本申请的全部内容通过引用编入于此。
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理方法和基板处理装置。处理对象的基板包括例如半导体晶片、液晶显示装置、有机EL(electroluminescence:电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,使用处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等的基板的基板处理装置。
在JP2013-258391A中公开了如下基板处理装置:向贮存TMAH(四甲基氢氧化铵)的容器内供给氮气或干燥空气,从而将TMAH的溶解氧浓度调整为最佳值。向容器内供给的气体的种类基于检测TMAH的溶解氧浓度的溶解气体传感器的检测值进行变更。
虽在JP2013-258391A中没有记载,但有时回收向基板供给的处理液进行再利用。在回收的处理液中溶入有环境气体中的气体。有时由基板和处理液的化学反应产生的气体溶入回收的处理液中。在这些气体中,可能含有氧气和非活性气体以外的气体。有时氧气和非活性气体以外的气体使检测处理液的溶解氧浓度的氧浓度计的检测精度降低。该情况下,处理液的实际的溶解氧浓度被调整为与目标浓度不同的值。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供一种基板处理方法和基板处理装置,即使在将溶解氧浓度被调整的处理液进行再利用的情况下,也能够以极其稳定的品质处理基板。
本发明的一实施方式提供一种基板处理方法,其中,包括:处理液贮存工序,在供给容器中贮存处理液;溶解氧浓度测量工序,测量所述处理液的溶解氧浓度;溶解氧浓度调整工序,通过向所述供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体,根据在所述溶解氧浓度测量工序中测量出的所述处理液的溶解氧浓度调整所述供给容器内的所述处理液的溶解氧浓度;处理液供给工序,向基板供给所述供给容器内的所述处理液;处理液回收工序,供给至所述基板的所述处理液由所述供给容器回收;不需要气体减少工序,在供给至所述基板的所述处理液由所述供给容器回收之前,使不需要气体在所述处理液中减少,所述不需要气体是所述浓度调整气体以外的气体,在所述处理液供给工序中溶入所述处理液中。
根据该方法,能够测量处理液的溶解氧浓度。向供给容器内供给非活性气体的浓度高于空气的浓度调整气体。由此,在供给容器内的处理液中溶入浓度调整气体。浓度调整气体的流量、组成根据溶解氧浓度的测量值进行变更。由此,调整处理液的溶解氧浓度。
向基板供给供给容器内的处理液。若向基板供给处理液,则处理液与环境气体接触。因此,在向基板供给的处理液中溶入有氧气等的环境气体所含的气体,从而溶解氧浓度上升。有时由基板和处理液的化学反应产生的气体溶入处理液中。有时浓度调整气体以外的气体使检测处理液的溶解氧浓度的氧浓度计的检测精度降低。
使在基板的处理中溶入处理液中的不需要气体在由供给容器回收处理液之前减少。因此,即使在供给容器内的处理液中含有向基板供给的处理液的情况下,也能够使由不需要气体引起的溶解氧浓度的测量误差减小至零或小的值,从而能够使处理液的实际的溶解氧浓度接近目标浓度。由此,即使在再利用溶解氧浓度被调整的处理液的情况下,也能够以极其稳定的品质处理基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





