[发明专利]重新布线层的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底，于所述基底的上表面形成介质层；

图形化所述介质层，以在所述介质层中形成贯穿所述介质层的第一通孔；

图形化所述介质层，以在所述介质层中形成第二通孔，所述第二通孔位于所述第一通孔的上方，并与所述第一通孔相贯通，且所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度；

金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层的上表面以及所述第一通孔及第二通孔的底部及侧壁；

形成金属层，所述金属层填满所述第一通孔及第二通孔；

去除位于所述介质层上的所述金属层及金属种子层，以在所述基底上形成所述重新布线层。

2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述基底上包括多层所述重新布线层。

3.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层与所述介质层具有同一水平面。

4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述介质层的厚度范围包括5μm～30μm。

5.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层的截面形貌包括T字形貌。

6.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层包括填满所述第一通孔的第一子金属层及填满所述第二通孔的第二子金属层；其中，所述第一子金属层的宽度范围包括20μm～150μm；所述第二子金属层的宽度范围包括5μm～500μm，所述第二子金属层的厚度范围包括0.5μm～5μm。

7.根据权利要求6所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述第一子金属层与所述第二子金属层具有相同材料。

8.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述金属层包括铜金属层、铝金属层、银金属层、铬金属层、钛金属层、钽金属层、钼金属层及钕金属层中的一种或组合。

9.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：去除位于所述介质层上的所述金属层及金属种子层的方法包括研磨法，其中，所述研磨法包括化学机械抛光。

10.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于：所述介质层包括光敏性聚酰亚胺(PI)聚合物薄膜、聚苯并噁(PBO)聚合物薄膜、苯并环丁烯(BCB)聚合物薄膜、环氧树脂(EMC)、硅胶、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃中的一种或组合。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基底；

重新布线层，所述重新布线层位于所述基底的上表面；其中，所述重新布线层包括：

介质层，所述介质层中包括贯穿所述介质层的第一通孔及位于所述第一通孔的上方的第二通孔，其中，所述第二通孔与所述第一通孔相贯通，且所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度；

金属种子层，所述金属种子层覆盖所述第一通孔及第二通孔的底部及侧壁；

金属层，所述金属层填满所述第一通孔及第二通孔。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于：所述基底上包括多层所述重新布线层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于：所述金属层与所述介质层具有同一水平面。

14.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于：所述介质层的厚度范围包括5μm～30μm。

15.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于：所述金属层的截面形貌包括T字形貌。