[发明专利]一种拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法

权利要求书

1.一种拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤1、砧木的准备：将本生烟草种子经消毒处理后无菌接种于MS固体培养基上，长日照条件培养7-9天，选取生长健壮、完整的本生烟草植株作为砧木苗，生长健壮、完整的本生烟草植株是指整个胚轴部分不弯曲，出现两片子叶且整个本生烟草的长度不超过0.8 cm；

步骤2、接穗的准备：将拟南芥种子经消毒处理后无菌接种在MS固体培养基上，长日照条件培养7-9天，选取生长健壮、完整的拟南芥植株作为接穗苗；生长健壮、完整的拟南芥植株是指整个胚轴部分不弯曲，两片子叶部分完全展开，出现两片真叶且整个拟南芥植株的长度不超过3 cm；所述步骤1和步骤2中消毒处理的步骤为：用氯气处理1h，再用蒸馏水处理3-6次；

步骤3、无菌环境下嫁接形成嫁接体：将所述接穗苗浸在湿润且无菌的whatman paper上，并将所述接穗苗的子叶、下胚轴及以下部分全部切去，留下全部上胚轴作为接穗部分；将所述砧木苗放到含有接穗的培养皿里，将上胚轴以上部分全部切除，留下全部下胚轴作为砧木部分；将接穗部分和砧木部分两个伤面的形成层贴合并贴在培养皿内壁上，并进行封口；

步骤4、嫁接体的培养：所述嫁接体在所述湿润且无菌的whatman paper上，并将含有所述嫁接体的培养皿垂直放在生长室，长日照条件下培养3-4天，待伤口愈合；

步骤5、嫁接体的移栽：将嫁接成功的嫁接体移到新的固体培养基上，长日照条件培养，直至嫁接苗开花结果，收获种子；

所述步骤1、步骤2、步骤4和步骤5中长日照条件为：16h 光照和8h 暗处理，光照条件下温度23±1℃；黑暗条件下的温度为23±1℃，光强为6000-8000 lux，相对湿度70%。

2.如权利要求1所述的拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，所述步骤1和步骤2中消毒处理前，分别在装有拟南芥和本生烟草种子的离心管管盖或管壁上用铅笔标明名称进行区分。

3.如权利要求1所述的拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，所述步骤3中封口的具体步骤为：用封口膜将培养皿缠上，再在外面缠一层透气胶带。

4.如权利要求1所述的拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，所述步骤3中，湿润且无菌的whatman paper为将购买的whatman paper灭菌后放在培养皿里面，在whatman paper上加入适量无菌水后，再铺上两层15um 的尼龙膜。

5.如权利要求1所述的拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，所述步骤3中嫁接步骤在显微镜下用嫁接刀进行操作；步骤3中贴合时采用弯头镊子将接穗部分提起后紧靠砧木部分。

6.如权利要求1所述的拟南芥与本生烟草的远缘嫁接方法，其特征在于，所述步骤5中所用固体培养基为MS培养基，且嫁接体在MS培养基上生长2个星期及以上更换新的MS培养基。