[发明专利]凸缘更换机构、切断装置、凸缘更换及切断品制造的方法有效
申请号: | 201910062312.8 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN110098106B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 宇泽秀俊;东秀和;黄善夏;宫田和志 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;B23Q3/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市南区上鸟羽上*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 凸缘 更换 机构 切断 装置 制造 方法 | ||
本发明涉及一种凸缘更换机构、切断装置、凸缘更换及切断品制造的方法。能实现凸缘的自动更换。凸缘更换机构(120)是能够更换对刀片(22)进行保持的凸缘的凸缘更换机构(120),其包括:外凸缘更换部(130),能将第一外凸缘(23a)更换为具有与第一外凸缘(23a)不同的直径的第二外凸缘;以及内凸缘更换部(140),能将第一内凸缘(20a)更换为具有与所述第一内凸缘(20a)不同的直径的第二内凸缘(20b)。
技术领域
本发明涉及一种凸缘更换机构、切断装置、凸缘更换方法以及切断品的制造方法。
背景技术
在日本专利特开2010-036291号公报(专利文献1)中,记载了一种包括固定凸缘及装卸凸缘的切断装置。在专利文献1记载的切断装置中,为了延长切削刀片的寿命,当切刀因切削而磨损且突出量变得不充分时,通过将固定凸缘及装卸凸缘更换为小径的固定凸缘及装卸凸缘,使经磨损的切刀突出而确保充分的突出量。
发明内容
但是,在专利文献1记载的切断装置中,既没有记载也没有暗示自动地装卸内凸缘及外凸缘。因此,本领域技术人员基于专利文献1的记载,利用人工操作来更换凸缘,而无法实现凸缘的自动更换。
根据本文所公开的实施方式,能够提供一种凸缘更换机构,其是能够更换对刀片进行保持的凸缘的凸缘更换机构,且所述凸缘更换机构包括:外凸缘更换部,能将第一外凸缘更换为具有与第一外凸缘不同的直径的第二外凸缘;以及内凸缘更换部,能将第一内凸缘更换为具有与第一内凸缘不同的直径的第二内凸缘。
根据本文所公开的实施方式,能够提供一种切断装置,此切断装置包括所述凸缘更换机构、刀片以及主轴部。
根据本文所公开的实施方式,能够提供一种凸缘更换方法,其是更换对刀片进行保持的凸缘的凸缘更换方法,且所述凸缘更换方法包括:从主轴部卸下第一外凸缘及刀片的工序;利用吸附单元对第一外凸缘及所述刀片进行保持,并从主轴部移动至收纳部的工序;从主轴部卸下第一内凸缘的工序;在主轴部安装具有与第一内凸缘不同的直径的第二内凸缘的工序;以及在主轴部安装具有与第一外凸缘不同的直径的第二外凸缘的工序。
根据本文所公开的实施方式,能够提供一种切断品的制造方法,其是使用所述凸缘更换方法的切断品的制造方法,所述切断品的制造方法更包括:在至少将第二外凸缘安装于主轴部的工序后,利用刀片将切断对象物切断的工序。
根据本文所公开的实施方式,能够实现凸缘的自动更换。
本发明的所述及其他目的、特征、方面及优点将由与附图相关联而理解的与本发明有关的以下详细说明来阐明。
附图说明
图1为实施方式的切断装置的示意性平面图。
图2(a)及图2(b)为实施方式的凸缘更换机构中所用的吸附臂的例子的示意性侧面图。
图3为从另一角度观察图2(a)、图2(b)所示的吸附臂的第一外凸缘吸附部时的示意性立体图。
图4为图2(a)、图2(b)及图3所示的第一外凸缘吸附部的示意性平面图。
图5为图2(a)~图4所示的第一外凸缘吸附部的示意性截面图。
图6为图2(a)及图2(b)所示的内凸缘更换部的示意性截面图。
图7为对实施方式的凸缘更换方法的工序的一部分进行图解的示意性截面图。
图8为对实施方式的凸缘更换方法的工序的一部分进行图解的示意性截面图。
图9为对实施方式的凸缘更换方法的工序的一部分进行图解的示意性截面图。
图10为对实施方式的凸缘更换方法的工序的一部分进行图解的示意性截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造