[发明专利]半导体封装件和制造该半导体封装件的方法在审
| 申请号: | 201910057922.9 | 申请日: | 2019-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN110120370A | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
| 发明(设计)人: | 柳慧桢;吴琼硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528;H01L25/07;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;薛义丹 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体封装件 再分布层 导电结构 半导体芯片 第二表面 外部连接端子 第一表面 再分布 节距 彼此相对 有效表面 分隔 制造 | ||
提供了一种半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括:再分布层,具有彼此相对的第一表面和第二表面,再分布层包括位于第一表面上的多个第一再分布垫;半导体芯片,位于再分布层的第二表面上,半导体芯片的有效表面面对再分布层;多个导电结构,位于再分布层的第二表面上,多个导电结构与半导体芯片分隔开;以及多个外部连接端子,位于导电结构上并结合到导电结构,多个第一再分布垫具有比多个外部连接端子的节距小的节距。
于2018年2月6日在韩国知识产权局提交并且名称为“Semiconductor Packageand Method of Fabricating the Same(半导体封装件和制造该半导体封装件的方法)”的第10-2018-0014810号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种半导体封装件,更具体地,涉及一种包括再分布层的半导体封装件和一种制造该半导体封装件的方法。
背景技术
提供半导体封装件来实现有资格在电子产品中使用的集成电路芯片。通常,半导体封装件被构造为使得半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上并且使用接合线或凸起将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展,人们对半导体封装件的标准化和小型化越来越感兴趣。此外,正在进行各种研究以改善兼容性并提高半导体封装件的运行速度。
发明内容
根据示例性实施例,一种半导体封装件可以包括:再分布层,具有彼此相对的第一表面和第二表面,再分布层包括位于再分布层的第一表面上的多个第一再分布垫;半导体芯片,位于再分布层的第二表面上;多个导电结构,设置在再分布层的第二表面上并与半导体芯片分隔开;以及多个外部连接端子,位于导电结构上并结合到导电结构。半导体芯片的有效表面可以面对再分布层。第一再分布垫可以具有比外部连接端子的节距小的节距。
根据示例性实施例,一种半导体封装件可以包括:再分布层,具有彼此相对的第一表面和第二表面;半导体芯片,位于再分布层的第二表面上;多个导电结构,位于再分布层的第二表面上并且与半导体芯片分隔开;以及第一半导体器件,位于再分布层的第一表面上。半导体芯片可以包括面对再分布层的芯片垫。第一半导体器件可以包括面对再分布层的连接垫。
根据示例性实施例,一种制造半导体封装件的方法可以包括:设置具有半导体芯片、多个导电图案和成型图案的预封装件,半导体芯片的多个芯片垫暴露在预封装件的表面上,导电结构与半导体芯片分隔开;在预封装件的表面上形成再分布层;以及在预封装件的另一表面上形成多个外部连接端子,多个外部连接端子结合到导电结构。再分布层可以包括结合到芯片垫的再分布图案和结合到再分布图案的多个第一再分布垫。第一再分布垫可以具有比外部连接端子的节距小的节距。
根据示例性实施例,一种制造半导体封装件的方法可以包括:形成再分布层,再分布层具有位于再分布层的第一表面上的多个第一再分布垫;将半导体芯片安装在再分布层的第二表面上并且将半导体芯片电连接到再分布层;在再分布层的第二表面上形成多个导电结构并且将导电结构电连接到再分布层;以及在导电结构上形成多个外部连接端子。外部连接端子可以具有比第一再分布垫的节距大的节距。
附图说明
提供参照附图详细描述示例性实施例,特征将对本领域技术人员明显,在附图中:
图1A示出了根据示例性实施例的互连封装件的平面图。
图1B示出了根据示例性实施例的再分布层的外部连接端子的平面图。
图2A、图2C、图2D、图2E和图2F示出了根据示例性实施例的制造互连封装件的方法中的阶段的剖视图。
图2B示出了图2A的部分III的放大剖视图。
图3A示出了根据示例性实施例的半导体封装件的平面图。
图3B示出了沿图3A的线I-II的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910057922.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有TSV结构的半导体封装
- 下一篇:半导体装置





