[发明专利]一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用有效
| 申请号： | 201910039839.9 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109705854B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 贡浩飞;朱磊 | 申请（专利权）人： | 江苏金琥珀光学科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙) 32205 | 代理人： | 李妮 |
| 地址： | 221000 江苏省徐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铊共掺 碘化 闪烁 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体，其特征在于：所述闪烁体的化学组成通式为：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y，0x≤0.05、0y≤0.05。
2.一种应用权利要求1所述的铟、铊共掺的碘化铯闪烁体制备的铟、铊共掺的碘化铯薄膜。
3.根据权利要求2所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述薄膜采用热蒸发工艺制备。
4.根据权利要求3所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述热蒸发工艺包括以下步骤：
(1)按组成通式：(Cs1-x-yTlxIny)I1+2y称取化学计量比的CsI、TlI和InI3，在混合均匀后装入固定在电极上的钼金属蒸发舟内；
(2)将衬底基片加热至150～250℃，并调节热蒸室内气压至10-5～10-3Torr，以的蒸镀速率进行蒸镀，在衬底基片上的薄膜厚度达到30～600μm后停止蒸镀；然后在100～350℃下进行退火处理30～90min，再自然降温至室温。
5.根据权利要求4所述的铟、铊共掺的碘化铯薄膜，其特征在于：所述衬底基片选用铝片、玻璃、陶瓷材料、单晶硅片、石英片中的一种。
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