[发明专利]一种低阻抗电极的制备方法及低阻抗电极

权利要求书

1.一种低阻抗电极的制备方法，其特征在于，包括：

敷有金属层的绝缘材料浸入到氧化石墨烯溶液，形成石墨烯层；

所述石墨烯层上喷涂氧化石墨烯和碳纳米管的混合溶液，在所述混合溶液上再喷涂碳纳米管溶液；

喷涂后的绝缘材料在退火炉中退火，以使所述石墨烯层的氧化石墨烯溶液以及所述石墨烯层上喷涂的混合溶液中的氧化石墨烯均变成还原氧化石墨烯，得到低阻抗的电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述敷有金属层的绝缘材料浸入到氧化石墨烯溶液，形成石墨烯层之前，还包括：

在绝缘材料上敷一层光刻胶，连同带有图案的掩模板一起曝光，去除未固化的光刻胶；

在所述掩模板上溅射金属层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述掩模板上溅射金属层，具体为：

在所述掩模板上先溅射第一预设厚度的铬层，然后溅射第二预设厚度的金层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯溶液的浓度为1g/L。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯和碳纳米管的混合溶液是将氧化石墨烯溶液和碳纳米管溶液按照重量比1:1的比例进行混合的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1nm。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述喷涂后的绝缘材料在退火炉中退火之前还包括：

将所述喷涂后的绝缘材料置于丙酮溶液中，去除残余光刻胶以及沉积在所述残余光刻胶上的金属、碳纳米管和氧化石墨烯，形成掩模板上图案的结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩模板上图案为叉指图案或圆环图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷涂后的绝缘材料在退火炉中退火，采用的温度为900℃。

10.一种低阻抗电极，其特征在于，利用权利要求1-9任一项所述低阻抗电极的制备方法制得。