[发明专利]一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件有效
| 申请号： | 201910023563.5 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109742090B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;李顺;黄义;贺利军;秦窈 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 ldmos ligbt 复合型 rc 器件 | ||
1.一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件包括左边的LDMOS有源区以及右边的LIGBT有源区，
所述复合型RC-LIGBT器件从内向外分为四层：
第一层为最中心的发射极（1）；
第二层左边为栅极Ⅰ（3），右边为栅极Ⅱ（7），栅极Ⅰ（3）与栅极Ⅱ（7）相连；
第三层为相连的LDMOS有源区和LIGBT有源区共用的N-漂移区（9）；
最外层左边为集电极N-Collector（11），右边为集电极P-Collector（14），所述集电极N-Collector的金属集电极Ⅰ（12）与所述集电极P-Collector 14的金属集电极Ⅱ（15）在使用时相连。
2.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区从左到右设置金属集电极Ⅰ（12）、集电极N-Collector（11）、N-漂移区（9）、N-bufferⅠ（10）、栅氧化层Ⅰ（4）、栅极Ⅰ（3）、N+电子发射极Ⅰ（2）、发射极（1）、介质隔离层（16）和衬底（17）；
所述LIGBT有源区从右到左设置金属集电极Ⅱ（15）、集电极P-Collector（14）、N-bufferⅡ（13）、N-漂移区（9）、栅氧化层Ⅱ（8）、栅极Ⅱ（7）、P-body（6）、N+电子发射极Ⅱ（5）、发射极（1），介质隔离层（16）和衬底（17）。
3.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源区和所述LIGBT有源区共用P-body（6）、发射极（1）、N-漂移区（9）、介质隔离层（16）和衬底（17），N-漂移区（9）下部依次为介质隔离层（16）和衬底（17）。
4.根据权利要求1所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件的版图为圆形结构或者方形结构。
5.根据权利要求2所述一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述N+电子发射极Ⅰ（2）与所述N+电子发射极Ⅱ（5）的大小和浓度一致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
