[发明专利]晶体切割装置及方法

权利要求书

1.一种晶体切割装置的晶体切割方法，其特征在于，包括以下步骤：

S200，将待切割晶体固定在调晶机构的料盘上；

S400，通过所述调晶机构在其自身旋转方向上调整所述待切割晶体的空间姿态，使得晶向检测机构的电流表达到峰值；

S600，将所述晶向检测机构的检测装置旋转90°，通过所述调晶机构在其俯仰方向上调整所述待切割晶体的空间姿态，使得所述晶向检测机构的电流表达到峰值；

S800，锁定所述调晶机构，对所述待切割晶体进行切割；

在步骤S200前，还包括步骤S100，用标准样片对所述晶向检测机构进行校准；所述晶向检测机构的校准为校正所述晶向检测机构的检测装置与所述标准样片的切割面的相对位置；

在所述步骤S100中，包括步骤：

S101，将任意所述待切割晶体粘接到所述调晶机构上；

S102，调整工作台的位置，用切割机构将所述待切割晶体切割出一个光滑平面；

S103，将所述标准样片无缝粘接到所述光滑平面上；

S104，打开所述晶向检测机构对所述标准样片进行晶向检测，调节校准按钮，使得所述晶向检测机构的电流表达到峰值；

S105，将所述晶向检测机构的检测头旋转90°，调节所述校准按钮，使得所述晶向检测机构的电流表达到峰值；

S106，锁定所述晶向检测机构，所述调晶机构校准完成；

其中，晶体切割装置，包括切割机构，所述切割机构用于对待切割晶体进行切割，还包括工作台、调晶机构和晶向检测机构；

所述调晶机构与所述晶向检测机构配合使用，用于找到所述待切割晶体的晶向；

所述调晶机构设置在所述工作台上，所述工作台带动所述调晶机构进行升降运动；其中，所述调晶机构包括旋转机构和俯仰机构，所述旋转机构用于带动所述调晶机构绕其自身轴线做旋转运动；所述俯仰机构用于带动所述调晶机构相对于水平面做俯仰运动；

所述晶向检测机构包括移动台、旋转装置、检测装置和电流表；所述移动台能够在空间内运动，从而调节自身与所述工作台之间的位置关系；所述旋转装置设置在所述移动台上，所述旋转装置与所述检测装置连接，用于带动所述检测装置旋转；所述检测装置与所述电流表电连接；

所述检测装置包括安装板，以及安装在所述安装板上的检测信号发射装置和检测信号接收装置；

所述旋转装置能够带动所述安装板在0°~180°范围内旋转；

所述切割机构为多线切割机构、单线切割机构、内圆切割机构和外圆切割机构中的任意一种；

所述晶向检测机构还包括距离传感器和控制器；所述距离传感器设置在所述移动台上，用于检测其与所述工作台之间的距离，所述控制器分别与所述距离传感器和所述移动台的驱动机构连接，所述控制器接收所述距离传感器的信号，并控制所述移动台运动，使所述距离传感器与所述工作台的距离保持在预设值。

2.根据权利要求1所述的晶体切割装置的晶体切割方法，其特征在于，在步骤S200中，所述待切割晶体与所述料盘之间的连接方式为无缝粘接。

3.根据权利要求1所述的晶体切割装置的晶体切割方法，其特征在于，在步骤S400和步骤S600中，所述检测装置的检测信号的传输距离不超过10mm。

4.根据权利要求1所述的晶体切割装置的晶体切割方法，其特征在于，重复步骤S200至步骤S800，实现对多个所述待切割晶体的切割。