[发明专利]一种压阻式传感器的无引线封装结构和封装方法

权利要求书

1.一种压阻式传感器的无引线封装结构，其特征在于：该无引线封装结构包括碳化硅芯片(1100)、碳化硅杯(1200)、可伐引脚(1300)、基座(1400)、外壳(1500)和第一过渡层(1600)；

所述碳化硅芯片(1100)包括第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有芯片电路(1110)，所述第二表面上设置有第一凹槽(1120)，所述第一表面与所述第二表面为相对面；

所述碳化硅杯(1200)包括第三表面和第四表面，所述第三表面上设置有第二凹槽(1210)，所述第三表面与所述第四表面为相对面；

所述碳化硅芯片(1100)和所述碳化硅杯(1200)通过所述第三表面与所述第一表面的键合形成键合物，且所述第一凹槽(1120)在所述碳化硅芯片(1100)上的位置与所述第二凹槽(1210)在所述碳化硅杯(1200)上的位置对应；

所述芯片电路(1110)上设置有多个金属焊盘(1111)，所述碳化硅杯(1200)上设置有与每个金属焊盘(1111)位置对应的第一通孔(1220)；

所述基座(1400)通过所述第一过渡层(1600)与所述第四表面相连，所述第一过渡层(1600)上设置有与每个第一通孔(1220)的位置对应的第二通孔(1610)，所述基座(1400)上设置有与每个第二通孔(1610)的位置对应的第三通孔(1410)；

所述可伐引脚(1300)沿第三通孔(1410)、第二通孔(1610)及第一通孔(1220)伸入所述键合物，并与对应一个金属焊盘(1111)相连；所述可伐引脚(1300)位于所述第一通孔(1220)内的部分上设置有第二过渡层(1800)；所述第二过渡层(1800)的材料为金；

所述键合物、第一过渡层(1600)和基座(1400)固定于所述外壳(1500)的内腔中；所述芯片电路的结构电桥在所述第二表面的投影区域位于所述第一凹槽(1120)内，第一凹槽在第一表面上的投影区域为碳化硅芯片的压力感应薄膜，第二凹槽在第四表面上的投影区域为所述压力感应薄膜的过载保护平面，所述第一凹槽(1120)通过所述外壳(1500)上的开口与外界相连通；

所述芯片电路通过键合保护在所述第一表面和第三表面之间。

2.根据权利要求1所述一种压阻式传感器的无引线封装结构，其特征在于：所述外壳(1500)上设置有螺纹结构(1510)，外壳(1500)通过螺纹结构(1510)与固定件(1700)相连。

3.根据权利要求1所述一种压阻式传感器的无引线封装结构，其特征在于：所述第一通孔(1220)中设置有导电填充物。

4.根据权利要求1所述一种压阻式传感器的无引线封装结构，其特征在于：所述第一过渡层(1600)是将由氧化铅-氧化锌-氧化硼与选自钛酸铅、堇青石、锂霞石、锂辉石、石英玻璃中的任意一种或多种物质制成的玻璃坯料经烧结而形成的复合型封接玻璃。

5.根据权利要求1所述一种压阻式传感器的无引线封装结构，其特征在于：所述基座(1400)的材料为氮化铝。