[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

作为现有的半导体装置，例如已知专利文献1～3中公开的半导体装置。专利文献1中公开的半导体装置，在基板上形成有漂移区域，并且在该漂移区域形成有形成沟道的阱区域。此外，从漂移区域的表面向垂直方向形成有源极区域和漏极区域。

另外，公开了通过在漂移区域的深度方向延伸设置阱区域，并且将该阱区域的端部延伸到基板内部的结构，来降低在阱区域的端部发生的电场集中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/008550号

专利文献2：日本特开2006-303543号公报

专利文献3：国际公开第1998/059374号

在专利文献1公开的现有例中，虽然可以降低阱区域的电场集中，但是由于阱区域需形成为一定的宽度，所以难以降低沟道电阻。

发明内容

本发明是为了解决这样的现有课题而完成的，其目的在于提供一种能够降低沟道电阻的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

本发明的一个方面，具备：基板、配置在基板的主面上的第一导电型的漂移区域、从漂移区域的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置且与具有到达基板内的底部的第二导电型的第一阱区域、与底部相接触且配置在比底部更下方的基板内的第二导电型的第二阱区域、以及从第二主面中的形成有第一阱区域的区域向垂直方向延伸设置且到达第二阱区域的第一导电型的源极区域。在与第二主面平行且从源极电极朝向漏极电极的方向上，第二阱区域与栅极绝缘膜相接触的距离比第一阱区域与栅极绝缘膜相接触的距离短。

根据本发明的一个方面，能够降低半导体装置的沟道电阻。

附图说明

图1A是表示本发明第一实施方式的半导体装置的结构的立体图。

图1B是图1A所示半导体装置的A-A’剖面图。

图1C是表示从图1A所示的半导体装置去除了层间绝缘膜的情况的立体图。

图1D是图1C所示半导体装置的B-B’剖面图。

图1E是表示第一实施方式的在基板上形成有栅极槽的状态的剖面图。

图1F是表示第一实施方式的、相对于图1E形成了漂移区域的状态的剖面图。

图1G是表示第一实施例的、相对于图1F形成了阱区域及源极区域的状态的剖面图。

图1H是表示第一实施方式的、相对于图1G形成了栅极绝缘膜及栅极电极的状态的剖面图。

图1I是表示第一实施方式的、第一阱区域及第二阱区域与栅极槽重叠的区域的说明图。

图2是表示本发明的第一实施方式的第二变形例的半导体装置的结构的立体图。

图3A是表示本发明第二实施方式的半导体装置的结构的立体图。