[发明专利]半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块，其特征在于，具有：

基座板；

半导体元件，其配置于所述基座板之上，具有焊盘；

外部电极；

配线用元件，其配置于所述基座板之上，具有第1中继焊盘、第2中继焊盘和配线，该第2中继焊盘配置得比所述第1中继焊盘更靠近所述焊盘，该配线对所述第1中继焊盘以及所述第2中继焊盘进行连接；

第1导线，其对所述外部电极与所述第1中继焊盘进行连接；

第2导线，其对所述焊盘与所述第2中继焊盘进行连接；以及

树脂，其对所述半导体元件、所述配线用元件以及所述第1导线、所述第2导线进行封装，

所述第2导线比所述第1导线细，

所述焊盘小于所述第1中继焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

还具有强电部，该强电部形成于所述基座板之上，与所述半导体元件的下表面的功率端子连接，

所述配线用元件还具有形成于所述强电部之上的基板和形成于所述基板之上的绝缘层，

在所述绝缘层之上形成有所述第1中继焊盘及所述第2中继焊盘、所述配线。

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

所述基座板是导体板。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述配线具有：

第1配线，其配置成环状；以及

第2配线，其配置于所述第1配线的内侧。

5.根据权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，

环状的所述第1配线的一部分断开。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体元件具有多个晶体管，

所述第2中继焊盘具有分别与所述多个晶体管的栅极连接的多个焊盘，

在所述多个焊盘与所述配线之间分别连接有多个栅极电阻，

对应的所述半导体元件的阈值电压越高，所述栅极电阻的电阻值越低。

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，

所述栅极电阻由以硅为主要成分的材料构成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体元件具有：

第1半导体元件，其具有感测用元件；以及

第2半导体元件，其不具有感测用元件，

所述第1半导体元件与所述第2半导体元件相比配置于所述基座板的内侧。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

还具有与所述半导体元件的表面电极接合的板状导体。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述配线用元件具有覆盖所述配线的覆盖膜。

11.根据权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，

所述覆盖膜的主要材料是聚酰亚胺。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述半导体元件具有化合物半导体基板。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述配线用元件具有硅基板。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述配线用元件具有半绝缘性基板。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体模块，其特征在于，

所述配线用元件是印刷基板。