[发明专利]成膜用掩模以及使用其之显示装置的制造方法在审
| 申请号: | 201880090172.9 | 申请日: | 2018-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN111788327A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 园田通;宫本惠信 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成膜用掩模 以及 使用 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种成膜用掩模,包括:
设置为框状的掩模主体、设置为从上述掩模主体向框内突出的突出部,并且与被成膜基板相对地配置,上述成膜用掩模特征在于,
在上述突出部的表面上,设置有凹部,上述凹部不到达该突出部的框内侧的端部。
2.根据权利要求1所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述凹部设置于上述突出部的上述被成膜基板侧的表面。
3.根据权利要求1或2所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述凹部由多个沟构成,上述多个沟构设置为互相平行地延伸。
4.根据权利要求3所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述多个沟沿着与上述突出部的突出方向正交的方向设置。
5.根据权利要求4所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述突出部在俯视下包括R形状,
上述各沟的长度与上述R形状对应,随着向上述突出部的突出侧变短。
6.根据权利要求3所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述多个沟沿着与上述突出部的突出方向正交的方向间歇地设置。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述各沟的宽度随着向上述突出部的突出侧变宽。
8.根据权利要求3所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述多个沟沿着上述突出部的突出方向设置。
9.根据权利要求8所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述各沟的深度随着向上述突出部的突出侧变浅。
10.根据权利要求8所述的成膜用掩模,其特征在于,
上述各沟的深度随着向上述突出部的突出侧变深。
11.一种显示装置的制造方法,包括:
发光元件形成工序,形成有发光元件,上述发光元件在衬底基板的一方的表面侧构成显示区域,
密封膜形成工序,以覆盖上述发光元件的方式形成密封膜,上述显示装置的制造方法的其特征在于,
在上述显示区域中,设置有在俯视下轮廓的一部分向内侧凹陷的切口部,
上述发光元件形成工序与密封膜形成工序的至少一方包括使用成膜掩模形成无机膜的无机膜形成工序,
上述成膜掩模包括:设置为框状的掩模主体、设置为从该掩模主体向框内突出,并且使与上述切口部对应配置的突出部,在使与上述突出部的上述衬底基板相对地配置的侧表面上,设置有凹部,上述凹部不到达该突出部的框内侧的端部。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
上述密封膜形成工序包括:
作为上述无机膜以覆盖上述发光元件的方式形成第一无机膜的第一无机膜形成工序;
以在该第一无机膜上与上述发光元件重叠的方式形成有机膜的有机膜形成工序、
作为上述无机膜以覆盖该有机膜的方式形成第二无机膜的第二无机膜形成工序。
13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在上述第一无机膜形成工序与第二无机膜形成工序中,以CVD法形成上述第一无机膜与第二无机膜。
14.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在上述发光元件形成工序中,作为上述无机膜在上述显示区域形成共用电极。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
上述显示区域在俯视下设置为矩形状,
上述切口部设置于上述显示区域的一边。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
上述发光元件为有机EL元件。
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